9icnet为您提供由其他公司设计和生产的APT75DL60HJ，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APT75DL60HJ参考价格为28.598美元。其他APT75DL60HJ包装/规范：BRIDGE RECT 1P 600V 75A SOT227。您可以下载APT75DL60HJ英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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APT75DL120HJ是MOD DIODE 1200V SOT-227，包括单相桥接产品，设计用于散装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于1.058219盎司，提供安装类型功能，如螺丝，商品名设计用于ISOTOP，以及9.6 mm高度，该设备也可用于38.2 mm长度。此外，宽度为25.2 mm，该器件采用SOT-227-4 miniBLOC封装盒，该器件具有安装型底盘安装，供应商器件封装为SOT-227，二极管类型为单相，反向电压峰值最大值为1200V，正向电流最大值为75A，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围为-55℃，Vf正向电压为1.6V，Vr反向电压为1.2kV，Ir反向电流为250uA，If正向电流为75A，峰值反向电压为1.2 kV。
APT75DF170HJ是MOD DIODE 1700V SOT-227，包括1700V电压峰值反向最大值，它们设计用于1.058219盎司单位重量的操作，供应商设备包如SOT-227中使用的数据表注释所示，该SOT-227提供散装等包装功能，包壳设计用于SOT-227-4、miniBLOC以及法兰安装类型，该设备也可以用作底盘安装型。此外，二极管类型为单相，如果最大电流为75A，则该器件提供直流正向电流。
APT70GR65B2SCD30，带有Microsemi制造的电路图。是IGBT的一部分-单个，并支持IGBT晶体管绝缘栅双极晶体管-功率MOS 8，IGBT NPT 650V 134A 595W通孔T-MAX？[B2]，Trans IGBT芯片N-CH 650V 134A 595000mW。
