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SDM10U45LP-7是二极管肖特基40V 100MA 2DFN，包括SDM10U45系列，它们设计用于肖特基二极管产品。数据表说明中显示了用于Digi-ReelR替代封装的封装，该封装提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于2-UFDFN，以及Si技术，该装置也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为2-DFN1006（1.0x0.6），该设备为单配置，该设备具有小信号=速度，二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为1μa@25V，电压正向Vf Max If为800mV@100mA，电压反向Vr Max为40V，电流平均整流Io为100mA，电容Vr F为15pF@10V，1MHz，其工作温度结范围为-40°C~125°C，其最大工作温度范围为+125 C，其最小工作温度范围是-40 C，Vf正向电压为0.8 V，Ir反向电流为1 uA（25 V），如果正向电流为0.1 A，Vrm重复反向电压为45 V，Ifsm正向浪涌电流为1A。
SDM1100LP-7带用户指南，包括770mV@1A正向电压Vf Max，如果设计为在100V电压DC反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于U-DFN2020-2的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）等速度功能，该系列设计用于汽车、AEC-Q101以及Digi-ReelR替代包装包装，该器件也可用作2-UDFN封装盒，其工作温度结范围为-55°C~175°C，该器件为表面安装型，该器件具有二极管型肖特基二极管，电流反向泄漏Vr为350μa@100V，电流平均整流Io为1A，电容Vr F为40pF@5V，1MHz。
带有电路图的SDM1100S1F-7，包括1A电流平均整流Io，它们设计为在5μa@100V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，用于肖特基，提供表面安装等安装类型功能，其工作温度结范围为-55°C~150°C，以及SOD-123F封装外壳，该设备也可以用作Digi-ReelR替代包装包装。此外，速度快速恢复=200mA（Io），该设备在SOD-123F供应商设备包中提供，该设备具有100V直流反向电压Vr Max，正向电压Vf Max If为820mV@1A。
SDM10U45TR-7，带有DIODES制造的EDA/CAD模型。SDM10U45TR-7采用SOD-523封装，是IC芯片的一部分。
