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APT106N60B2C6是MOSFET N-CH 600V 106A TO-247，包括CoolMOS？系列，它们设计用于管包装，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供to-247-3变体等封装外壳功能，技术设计用于硅，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该设备也可用作通孔安装类型。此外，供应商设备包是T-MAX？[B2]，该器件采用MOSFET N沟道、金属氧化物FET型，该器件最大功率为833W，漏极至源极电压Vdss为600V，输入电容Ciss Vds为8390pF@25V，FET特性为标准，25°C时的电流连续漏极Id为106A（Tc），最大Id Vgs为35mOhm@53A，10V，Vgs最大Id为3.5V@3.4mA，栅极电荷Qg Vgs为308nC@10V，Pd功耗为833W，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为164 ns，上升时间为79 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为106 A，Vds漏极-源极击穿电压为600 V，并且Vgs第栅极-源极阈值电压为3V，Rds漏极-源极电阻为35mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为277ns，典型接通延迟时间为25ns，Qg栅极电荷为308nC，沟道模式为增强。
APT-106带有用户指南，包括ALAN系列，它们设计用于管包装。
APT-106-T带电路图，包括卷筒包装，它们设计用于ALAN系列。
