- 应用范围：L波段VCO
- 电路数量：1
- RoHS兼容产品（#）：可用
- 组装基地：日本/泰国
特色
- 装配底座：2.4-
- 装配底座：4.7 pF
- 装配底座：3.8 pF
- 装配底座：2 pF
- 装配底座：1.5 pF
- 装配底座：0.44Ω
应用
L波段VCO
1SV268-TD-E
- 描述:PIN DIODE
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 962
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 962+ | 2.24529 | 2159.97763 |
- 库存: 16500
- 单价: ¥2.24530
-
数量:
- +
- 总计: ¥2,159.98
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 最大反向峰值电压 -
- 最大电流 -
- 电容@Vr、法数 -
- 电阻@If, F -
- 最大功耗 -
- 供应商设备包装 -
- 工作温度 -
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 包装/外壳 -
- 二极管种类 -
- 特点 -
1SV268-TD-E 产品详情
1SV268-TD-E 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
| 1SV305,L3F(T | 东芝 (Toshiba) | 暂无 | ¥3.7834 |
| 1SV323(TPH3,F) | 东芝 (Toshiba) | 暂无 | ¥0.79767 |
| 1SV325(TPH3.F) | 东芝 (Toshiba) | 暂无 | ¥1.26113 |
| 1SV214 | 时科 (SHIKUES) | 暂无 | ¥0.35717 |
| 1SV325H3F | 东芝 (Toshiba) | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：10V 二极管电容(CT)：12pF@4V,1MHz 电容比：4.3@C1V/C4V 串联电阻(Rs)：400mΩ | ¥2.63787 |
| 1SV305(TPH3F) | 东芝 (Toshiba) | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：10V 二极管电容(CT)：6.1pF@4V,1MHz 电容比：3@C1V/C4V 串联电阻(Rs)：270mΩ | ¥3.31048 |
| 1SV270(TPH3,F) | 东芝 (Toshiba) | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：10V 二极管电容(CT)：8pF@4V,1MHz 电容比：2@C1V/C4V 串联电阻(Rs)：280mΩ | ¥1.0313 |
| 1SV323,H3F(T | 东芝 (Toshiba) | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：10V 二极管电容(CT)：7.1pF@4V,1MHz 电容比：4.3@C1V/C4V 串联电阻(Rs)：400mΩ | ¥1.01239 |
| 1SV229(TPH3F) | 东芝 (Toshiba) | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：15V 二极管电容(CT)：6pF@10V,1MHz 电容比：2.5@C2V/C10V 串联电阻(Rs)：200mΩ | ¥0.81483 |
 | 1SV282(TPH3,F) | 东芝 (Toshiba) | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：34V 二极管电容(CT)：2.85pF@25V,1MHz 电容比：12.5@C2V/C25V 串联电阻(Rs)：600mΩ | ¥1.49276 |
1SV268-TD-E所属分类：射频二极管，1SV268-TD-E 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。1SV268-TD-E价格参考￥2.245299，你可以下载 1SV268-TD-E中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询1SV268-TD-E规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...
