9icnet为您提供由Rohm Semiconductor设计和生产的RN262CST2R，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。RN262CST2R参考价格74.28736美元。Rohm Semiconductor RN262CST2R封装/规格：RF二极管PIN 30V 100MW VMN2。您可以下载RN262CST2R英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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RN2608（TE85L，F），带引脚细节，包括Digi-ReelR替代封装，设计用于SC-74、SOT-457封装盒，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，提供SM6等供应商设备封装功能，最大功率设计为300mW，以及2 PNP-预偏置（双）晶体管类型，该器件还可以用作100mA电流收集器Ic最大值。此外，电压收集器-发射器击穿最大值为50V，该器件提供22k电阻基极R1欧姆，该器件具有47k电阻发射器基极R2欧姆，直流电流增益hFE最小Ic Vce为80@10mA，5V，Vce饱和最大Ib Ic为300mV@250μa，5mA，电流收集器截止最大值为100nA（ICBO），频率转换为200MHz。
带有用户指南的RN2610（TE85L，F），包括50V集电极-发射极击穿最大值，设计用于在300mV@250μa、5mA Vce饱和最大值Ib-Ic下工作，数据表说明中显示了用于2 PNP-预偏置（双）的晶体管类型，提供了供应商设备包功能，如SM6，电阻器基极R1欧姆设计用于4.7k，以及300mW最大功率，该设备也可以用作Digi-ReelR替代包装包装。此外，封装外壳为SC-74，SOT-457，该器件为表面安装安装型，该器件具有200MHz的频率转换，直流电流增益hFE最小Ic Vce为120@1mA，5V，集电器Ic最大值为100mA，集电器截止最大值为100nA（ICBO）。
RN2611，带有东芝制造的电路图。RN2611在SOT-163封装中提供，是IC芯片的一部分。
