9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的UM7006F,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。UM7006F参考价格为31.62000美元。Microchip Technology UM7006F封装/规格:SI PPIN HERMETIC MELF。您可以下载UM7006F英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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UM6K34NTCN,带引脚细节,包括UM6K34 N系列,设计用于Digi-ReelR替代包装包装,包装箱如数据表注释所示,用于6-TSSOP,SC-88,SOT-363,提供Si等技术特性,工作温度范围为150°C(TJ),以及表面安装安装类型,该设备也可以用作UMT6供应商设备包。此外,FET类型为2 N通道(双通道),该器件的最大功率为120mW,该器件具有50V的漏极到源极电压Vdss,输入电容Ciss Vds为26pF@10V,FET特性为逻辑电平门,0.9V驱动,25°C的电流连续漏极Id为200mA,最大Id Vgs上的Rds为2.2 Ohm@200mA,4.5V,Vgs最大Id为800mV@1mA。
UM6K33NTN是MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6,包括1V@1mA Vgs th Max Id,它们设计为与Si技术一起工作。数据表说明中显示了用于UMT6的供应商设备包,其提供了UM6K33 N、Rds on Max Id等系列功能。Vgs设计为在2.2Ohm@200mA、4.5V以及120mW最大功率下工作,该设备也可以用作Digi-ReelR替代包装包装。此外,封装外壳为6-TSSOP、SC-88、SOT-363,其工作温度范围为150°C(TJ),器件具有安装型表面安装,输入电容Ciss Vds为25pF@10V,FET类型为2 N沟道(双),FET特性为逻辑电平门,1.2V驱动,漏极到源极电压Vdss为50V,电流连续漏极Id 25°C为200mA。
UM6K34N,电路图由ROHM制造。UM6K34N在SOT343封装中提供,是FET阵列的一部分。
UM6K34N TN,带有ROHM制造的EDA/CAD模型。UM6K34N TN采用UMT6封装,是IC芯片的一部分。