Vishay公司的沟槽MOS势垒肖特基（TMBS）整流器系列包含一种获得专利的沟槽结构。TMBS整流器比平面肖特基整流器具有几个优点。在45V及以上的工作电压下，肖特基整流器可能在很大程度上失去其快速开关速度和低正向压降的优势。获得专利的TMBS结构通过减少对漂移区的少数载流子注入来解决这些问题，从而最小化存储电荷并提高开关速度。
专利沟槽结构
提高AC/DC开关电源和DC/DC转换器的效率
高功率密度和低正向电压
VB40100C-E3/8W
- 描述:二极管种类: 肖特基 二极管架构（配置）: 1对公共阴极 最大直流反向电压 (Vr): 100伏 单二极管整流平均值 (Io): 20A 供应商设备包装: 至263AB（DPAK） 工作结温: -40摄氏度~150摄氏度
- 品牌: 威世半导体 (Vishay Cera-Mite)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 3.35418 | 3.35418 |
- 库存: 1573
- 单价: ¥3.35419
-
数量:
- +
- 总计: ¥3.35
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 速度 快速恢复=＜500ns，＞200毫安（Io）
- 工作结温 -40摄氏度~150摄氏度
- 安装类别 表面安装
- 二极管架构（配置） 1对公共阴极
- 二极管种类 肖特基
- 反向恢复时长 (trr) -
- 最大直流反向电压 (Vr) 100伏
- 反向漏电流 @ 直流反向电压 1 mA @ 100 V
- 制造厂商 威世半导体 (Vishay Cera-Mite)
- 包装/外壳 到263-3，DPak（2根引线+接线片），TO-263AB
- 供应商设备包装 至263AB（DPAK）
- 单二极管整流平均值 (Io) 20A
- 最大正向压降 (Vf) @ 正向工作电流 (If) 730 mV @ 20 A
- 特点 -
VB40100C-E3/8W 产品详情
TMBS-沟槽MOS势垒肖特基整流器，30A至80A，Vishay半导体
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
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VB40100C-E3/8W所属分类：二极管/整流器阵列，VB40100C-E3/8W 由 威世半导体 (Vishay Cera-Mite) 设计生产，可通过久芯网进行购买。VB40100C-E3/8W价格参考￥3.354187，你可以下载 VB40100C-E3/8W中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询VB40100C-E3/8W规格参数、现货库存、封装信息等信息！
威世半导体 (Vishay Cera-Mite)
Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体（二极管、MOSFET和光电子）和无源元件（电阻器、电感器和电容器）的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型...
