9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APT30S20BCTG，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APT30S20BCTG参考价格$4.32000。Microchip Technology APT30S20BCTG封装/规格：二极管阵列肖特基200V TO247。您可以下载APT30S20BCTG英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如APT30S20BCTG价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
APT30M85BVRG是MOSFET N-CH 300V 40A TO-247，包括卷轴封装，设计用于1.340411盎司的单位重量，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供功率MOS V等商品名称功能，封装盒设计用于TO-247-3，以及Si技术，该设备还可用作300 W Pd功耗，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，器件的下降时间为7 ns，上升时间为10 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为40 a，Vds漏极-源极击穿电压为300 V，Vgs第h栅极-源阈值电压为4 V，Rds导通漏极-源极电阻为85mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为43ns，典型接通延迟时间为12ns，Qg栅极电荷为130nC，沟道模式为增强。
APT30N60BC6是由Microsemi制造的IGBT晶体管绝缘栅双极晶体管-场停低频-单体。APT30N60BC6以TO-247封装形式提供，是IGBT的一部分-单体，并支持IGBT晶体管绝缘栅双极晶体管-场阻低频率-单体、N通道600V 30A（Tc）219W（Tc）通孔TO-247[B]、跨MOSFET N-CH 600V 30A 3引脚（3+Tab）TO-247。
APT30N60SC6是由Microsemi制造的IGBT晶体管绝缘栅双极晶体管-场停止低频-单体。APT30N60SC6采用D3PAK封装，是IGBT的一部分-单个，并支持IGBT晶体管绝缘栅双极晶体管-场阻低频率-单个，N通道600V 30A（Tc）219W（Tc）表面安装D3PAK。
