9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的UG30DPT-E3/45，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。UG30DPT-E3/45参考价格3.56000美元。Vishay通用半导体-二极管部门UG30DPT-E3/45封装/规格：二极管阵列GP 200V 30A TO3P。您可以下载UG30DPT-E3/45英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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UG3004-T是DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD，包括磁带和卷轴（TR）封装，它们设计用于DO-201AD，轴向封装盒，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，提供DO-201AD等供应商设备封装功能，速度设计用于快速恢复=20mA（Io），以及标准二极管类型，该器件也可以用作5μA@400V电流反向泄漏Vr。此外，正向电压Vf Max If为1.25V@3A，该设备提供400V电压DC反向Vr Max，该设备具有3A的电流平均整流Io，反向恢复时间trr为50ns，电容Vr F为60pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-65°C ~ 150°C。
UG3005-T是DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD，包括1.7V@3A电压正向Vf Max。如果设计为在600V电压直流反向Vr Max下运行，则DO-201AD中使用的供应商设备包如数据表注释所示，提供快速恢复=20mA（Io）、反向恢复时间trr设计为75ns、，除了磁带和卷轴（TR）封装外，该器件还可以用作DO-201AD轴向封装盒，其工作温度结范围为-65°C~150°C，该器件为通孔安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为5μa@600V，电流平均整流Io为3A，电容Vr F为30pF@4V，1MHz。
UG30CPT是VIS制造的二极管阵列GP 150V 30A TO3P。UG30CPT提供TO-3P-3、SC-65-3封装，是二极管、整流器-阵列的一部分，支持二极管阵列GP 150V 30A TO3P。
