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MSD1819A-RT1G是TRANS NPN 50V 0.1A SOT-323,包括MSD1819A-R系列,它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装,单位重量显示在数据表注释中,用于0.000219盎司,提供SMD/SMT等安装类型功能,包装箱设计用于SC-70、SOT-323以及表面安装安装类型,该设备也可以用作SC-70-3(SOT323)供应商设备包。此外,该配置为单一配置,该设备的最大功率为150mW,该设备具有晶体管型NPN,集电极Ic最大值为100mA,集电极-发射极击穿最大值为50V,直流电流增益hFE最小Ic Vce为210@2mA,10V,Vce饱和最大值Ib Ic为500mV@10mA,100mA,且集电极截止最大值为100nA,Pd功耗为150mW,最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-55 C,集电极-发射极电压VCEO Max为60 V,晶体管极性为NPN,集电极/发射极饱和电压为0.5 V,集电极基极电压VCBO为60 V和发射极基极电压VEBO为7 V,并且最大DC集电极电流是0.1A,并且连续集电极电流为0.1A,以及DC集电极基本增益hfe Min是210。
MSD200-08是DIODE BRIDGE 3PH 800V 200A SM3,包括54 mm宽,设计用于800V Vr反向电压,数据表备注中显示了800V中使用的电压峰值反向最大值,提供1.2 V等Vf正向电压特性,供应商设备包设计用于M3,以及三相桥产品,该器件也可以用作800V峰值反向电压。此外,包装为散装,装置采用M3包装箱,装置具有安装型螺钉,安装类型为底盘安装,最低工作温度范围为-40℃,最大浪涌电流为2.24 kA,最高工作温度范围+150℃,长度为94 mm,如果正向电流为200 a,高度为30 mm,二极管类型为三相,电流DC正向(如果最大值为200A)。
MSD1819A-RT1,带有ON制造的电路图。MSD1819A-RT1以SOT-23封装形式提供,是晶体管(BJT)-单体的一部分。