特色
用于瞬态保护的低正向压降保护环结构快速开关时间低反向电容表面安装封装，非常适合自动插入无铅/符合RoHS（注3）
1N5711W-7
- 描述:二极管种类: 肖特基-单 最大反向峰值电压: 70V 最大功耗: 333 mW 最大电流: 15毫安 供应商设备包装: SOD-123 工作温度: -55摄氏度~125摄氏度（TJ）
- 品牌: 达尔科技 (Diodes rporated)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
- 库存: 0
- 单价: ¥102.57509
-
数量:
- +
- 总计: ¥102.58
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规格参数
- 电阻@If, F -
- 二极管种类 肖特基-单
- 工作温度 -55摄氏度~125摄氏度（TJ）
- 最大反向峰值电压 70V
- 电容@Vr、法数 2皮法@0V，1MHz
- 最大电流 15毫安
- 制造厂商 达尔科技 (Diodes rporated)
- 部件状态 Digi-Key停产
- 包装/外壳 钠-123
- 供应商设备包装 SOD-123
- 最大功耗 333 mW
- 特点 -
- 种类 -
1N5711W-7 产品详情
1N5711W-7 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | 1N5618JAN | 先科电子 (Semtech) | 1N5618JAN | ¥52.22131 |
| 1N5806JAN | 先科电子 (Semtech) | 1N5806JAN | ¥63.73752 |
| 1N5614JAN | 先科电子 (Semtech) | 1N5614JAN | ¥68.37298 |
| 1N5943BRLG | 安盛美 (onsemi) | ZEN SUR30 REG 3W 56V | ¥0.86915 |
| 1N5310 BK | 中央半导体 (Central) | 1N5310 BK | ¥0.93219 |
 | 1N5655A | 微芯 (Microchip) | 种类: Zener 典型反向偏差电压: 70.1V 最大钳位电压: 113伏 供应商设备包装: DO-13 工作温度: -65摄氏度~175摄氏度（TJ） 安装类别: 通孔 | ¥105.49284 |
| 1N5635A | 微芯 (Microchip) | 种类: Zener 典型反向偏差电压: 10.2伏 最大钳位电压: 16.7伏 供应商设备包装: DO-13 工作温度: -65摄氏度~175摄氏度（TJ） 安装类别: 通孔 | ¥106.03606 |
 | 1N5555/TR | 微芯 (Microchip) | 种类: Zener 典型反向偏差电压: 30.5伏 最大钳位电压: 47.5伏 供应商设备包装: DO-13 工作温度: -65摄氏度~175摄氏度（TJ） 安装类别: 通孔 | ¥113.85839 |
| 1N5630A | 微芯 (Microchip) | 种类: Zener 典型反向偏差电压: 6.4V 最大钳位电压: 11.3伏 供应商设备包装: DO-13 工作温度: -65摄氏度~175摄氏度（TJ） 安装类别: 通孔 | ¥126.24375 |
| 1N5632A | 微芯 (Microchip) | 种类: Zener 典型反向偏差电压: 7.78V 最大钳位电压: 13.4伏 供应商设备包装: DO-13 工作温度: -65摄氏度~175摄氏度（TJ） 安装类别: 通孔 | ¥126.24375 |
1N5711W-7所属分类：射频二极管，1N5711W-7 由 达尔科技 (Diodes rporated) 设计生产，可通过久芯网进行购买。1N5711W-7价格参考￥102.575094，你可以下载 1N5711W-7中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询1N5711W-7规格参数、现货库存、封装信息等信息！
达尔科技 (Diodes rporated)
Diodes Incorporated为消费电子、计算、通信、工业和汽车市场的世界领先公司提供高质量的半导体产品。他们利用离散、模拟和混合信号产品的扩展产品组合以及领先的封装技术来满足客户的需求。他们广...
