该ON半导体肖特基功率整流器采用肖特基势垒原理，使用势垒金属来产生最佳正向压降−反向电流交换。适用于低电压、高频整流以及续流和极性保护二极管，适用于各种表面安装应用，只要尺寸和重量更紧凑。
•无铅
•设计用于最佳自动化电路板组装
•应力保护防护
•环氧树脂模制外壳
•重量轻的11.7mg包装
带有NSV、SBR或S前缀制造商零件号的产品为AEC-Q101汽车合格产品。
MMBD301LT1G
- 描述:二极管种类: 肖特基-单 最大反向峰值电压: 30伏 最大功耗: 200毫瓦 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -55摄氏度~125摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 0.36576 | 0.36576 |
| 100+ | 0.23829 | 23.82910 |
| 1000+ | 0.21511 | 215.11400 |
- 库存: 245067
- 单价: ¥0.36577
-
数量:
- +
- 总计: ¥0.37
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 最大电流 -
- 电阻@If, F -
- 二极管种类 肖特基-单
- 工作温度 -55摄氏度~125摄氏度（TJ）
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 包装/外壳 至236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备包装 SOT-23-3 (TO-236)
- 最大反向峰值电压 30伏
- 电容@Vr、法数 1.5皮法@15V，1MHz
- 最大功耗 200毫瓦
- 特点 -
- 种类 -
MMBD301LT1G 产品详情
ON半导体肖特基势垒二极管
MMBD301LT1G 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | MMB70-12GH50-1N-V1 | 倍加福 (Pepperl+Fuchs) | 种类: 转换 频率: 1千赫 电源电压: 8.2V 包装/外壳: 气缸，螺纹-M12 工作温度: -25摄氏度~70摄氏度（TA） | ¥1,618.42601 |
 | MMBT4403WT1 | 安盛美 (onsemi) | TRANS SS GP PNP SS 40V SC70 | ¥0.14486 |
 | MMBD6050LT1 | 安盛美 (onsemi) | DIODE SWITCH 70V SOT23 | ¥0.28972 |
 | MMBD6050LT3 | 安盛美 (onsemi) | DIODE SWITCHING 70V SOT-23 | ¥0.14486 |
| MMBT2222ATT1 | 安盛美 (onsemi) | TRANS NPN GP 75V 600MA SC-75 | ¥0.14486 |
| MMBT3416LT3 | 安盛美 (onsemi) | TRANS NPN GP 25V 100MA SOT-23 | ¥0.14486 |
 | MMBT4124LT1 | 安盛美 (onsemi) | TRANS NPN GP 20V 200MA SOT-23 | ¥0.14486 |
| MMBT4401LT3 | 安盛美 (onsemi) | TRANS NPN GP 40V 600MA SOT-23 | ¥0.14486 |
| MMBZ5239ELT1G | 安盛美 (onsemi) | DIODE ZENER 225MW 9.1V SOT-23 | ¥0.14486 |
 | MMBD4148,215 | 恩智浦 (NXP) | DIODE SWITCH 75V 0.215A TO236AB | ¥0.14486 |
MMBD301LT1G所属分类：射频二极管，MMBD301LT1G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。MMBD301LT1G价格参考￥0.365766，你可以下载 MMBD301LT1G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询MMBD301LT1G规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...
