9icnet为您提供由Diotec Semiconductor设计和生产的BAS35，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BAS35参考价格为0.12400美元。Diotec半导体BAS35封装/规格：DIODE SOT-23 120V 0.2A 50NS。您可以下载BAS35英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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BAS34-TR是DIODE GEN PURP 60V 200MA DO35，包括汽车AEC-Q101系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）交替包装包装，包装箱如数据表注释所示，用于DO-204AH、DO-35、轴向，提供安装类型功能，如通孔，供应商设备包设计用于DO-35，以及小信号=速度，该器件也可以用作标准二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为1nA@30V，该器件提供1V@100mA电压正向Vf Max。如果，该器件具有60V电压直流反向Vr Max，电流平均整流Io为200mA，电容Vr F为3pF@0V，1MHz，其工作温度结范围为175°C（最大值）。
BAS34-TAP是DIODE GEN PURP 60V 200MA DO35，包括1V@100mA电压正向Vf Max。如果它们设计为在60V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于DO-35的供应商设备包，该DO-35提供速度特性，如小信号=，系列设计用于汽车、AEC-Q101、，除了磁带盒（TB）替代封装外，该器件还可以用作DO-204AH、DO-35轴向封装盒，其工作温度结范围为175°C（最大值），该器件为通孔安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为1nA@30V，电流平均整流Io为200mA，电容Vr F为3pF@0V，1MHz。
BAS33-TAP是DIODE GEN PURP 30V 200MA DO35，包括3pF@0V，1MHz电容Vr F，设计用于200MA电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于1nA@15V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于通孔，它的工作温度结范围为175°C（最大值），该装置也可以用作DO-204AH、DO-35、轴向包装箱。此外，包装为磁带盒（TB），该设备提供汽车AEC-Q101系列，该设备具有小信号=速度，供应商设备包装为DO-35，电压DC反向Vr Max为30V，电压正向Vf Max If为1V@100mA。
