3终端LPF宽带分路结构50 MHz-12 GHz宽带频率>100 W峰值功率处理0.1 dB分路插入损耗25 dB分路隔离<20�C/W热电阻无铅mm 6引线DFN封装符合RoHS*和260oC回流版本V1
描述是一种无铅1.2毫米DFN表面安装塑料封装，可提供从50 MHz到12 GHz的低和高信号频率操作。PIN二极管的较高击穿电压和较低热阻提供了超过100W的峰值功率处理。该器件理想地适用于需要更高性能表面安装二极管组件的宽频带上的较高入射功率开关、移相器、衰减器和限幅器微波电路。
引脚编号2 3引脚名称RFIN GND RFOUT Paddle4描述RF输入地RF输出地1.有关卷筒尺寸信息，请参考应用注释M513。2.所有RF样品板包括5个松动部件。
3.M/A-COM技术解决方案建议将未使用的封装引脚接地。4.以封装底部为中心的暴露焊盘必须连接到RF、DC和热接地。
*有害物质限制，欧盟指令2002/95/EC。M/A-COM Technology Solutions Inc.及其附属公司保留对本文所含产品或信息进行更改的权利，恕不另行通知。有关更多数据表和产品信息，请访问www.macomtech.com。北美电话：800.366.2266/传真：978.366.2266欧洲电话：44.1908.574.200/传真：44.19085.74.300亚太地区电话：81.44.844.8296/传真：81.44.842.8298
参数正向电压反向泄漏电流总电容5串联电阻6并联电阻6少数载流子寿命C.W.热阻（热接地平面上的无限热沉）功耗7,8（热接地面上的无限热量沉）插入损耗隔离
测试条件50 mA D.C.-200 V D.C.@1 GHz@1 GHz-Vdc@100 MHz+如果mA/-Ir mA（50%控制电压，90%输出电压）I高4 A，Ilow@10 kHz
Ct（总电容CJ（结电容Cp（寄生封装电容Rs和Rp）由HP4291A阻抗分析仪测量。功率损耗线性降低-50mW/�抄送+175�C： 钯（T）-（50毫伏/�C） （T）./或PD＝（IF+IRF）2（Rs），其中IF是正向偏置DC电流，IRF是正向偏置RMS RF电流。
参数直流正向电压+250 mA直流正向电流直流反向电压结温度11工作温度存储温度回流温度绝对最大值+150�丙+260�C持续360秒
请遵守以下预防措施以避免损坏：这些设备对静电放电（ESD）敏感，并可能被静电损坏。处理这些2类设备时，应使用适当的ESD控制技术。
9.超过这些限制中的任何一个或组合可能会对本设备造成永久性损坏。10.M/A-COM技术解决方案不建议在这些生存能力极限附近持续作战。11.在TJ+140的标称条件下运行�C将确保MTTF x 10E6小时。
器件可以使用标准Pb60/Sn40或符合RoHS的焊料进行焊接。引线镀有NiPdAuAg，以确保最佳的可焊连接。有关推荐的Sn/Pb和RoHS焊接配置文件，请参阅MACOM网站上的应用说明M538。
这些设备应在清洁的环境中处理和储存。该器件的端部镀有NiPdAuAg，以提高可焊性。长时间暴露在高湿度（>80%）下可能会导致表面氧化。长时间存放设备时应小心。
该设备可使用镊子或真空拾取器进行操作，适用于自动拾取和放置设备。
特色
- 3终端LPF宽带分路结构
- 符合RoHS*
- 无铅1.5 x 1.2 mm 6引线DFN封装
- <20°C/W热阻
- >25 dB分路隔离
- <0.1 dB分路插入损耗
- >100 W峰值功率处理
- 50 MHz-12 GHz宽带频率
- 260°C回流兼容
- 伊斯兰主义
应用
- 总电容：0.31 pF
- 电阻：1.5欧姆
- CW功耗：7.5 W
- 热阻：20
- 最小频率：50 MHz
- 最小击穿电压：400 V
- 寿命：1000 nS
- 最大频率：12000 MHz
