高速开关二极管。
特色
- 电气绝缘高压
- 中速二极管
- 无铅（符合RoHS）包装1）
- 符合AEC Q101
BAW101E6433
- 描述:二极管种类: 标准 二极管架构（配置）: 2独立 最大直流反向电压 (Vr): 300伏 单二极管整流平均值 (Io): 250毫安（直流） 供应商设备包装: SOT143（SC-61） 工作结温: 150摄氏度
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 4325
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 2885+ | 0.72429 | 2089.57665 |
- 库存: 20000
- 单价: ¥0.50700
-
数量:
- +
- 总计: ¥3,132.55
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 二极管种类 标准
- 安装类别 表面安装
- 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
- 二极管架构（配置） 2独立
- 包装/外壳 至253-4，至253AA
- 速度 标准恢复>500ns，>200毫安（Io）
- 最大正向压降 (Vf) @ 正向工作电流 (If) 1.3 V@100 mA
- 单二极管整流平均值 (Io) 250毫安（直流）
- 最大直流反向电压 (Vr) 300伏
- 工作结温 150摄氏度
- 供应商设备包装 SOT143（SC-61）
- 反向恢复时长 (trr) 1.s
- 反向漏电流 @ 直流反向电压 150 nA @ 250 V
- 特点 -
- 种类 -
BAW101E6433 产品详情
BAW101E6433 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | BAW56W,115 | 恩智浦 (NXP) | DIODE ARRAY 90V 150MA SOT323 | ¥0.14486 |
 | BAW156,215 | 恩智浦 (NXP) | DIODE ARRAY 75V 160MA TO236AB | ¥0.21729 |
 | BAW101S,115 | 恩智浦 (NXP) | DIODE DUAL 300V 250MA 6TSSOP | ¥0.21729 |
 | BAW56TA | 达尔科技 (Diodes rporated) | 二极管种类: 标准 二极管架构（配置）: 1对公共阳极 最大直流反向电压 (Vr): 75 V 单二极管整流平均值 (Io): 300毫安 (DC) 供应商设备包装: SOT-23-3 工作结温: -65摄氏度~150摄氏度 | ¥7.5471 |
 | BAW56-7 | 达尔科技 (Diodes rporated) | 二极管种类: 标准 二极管架构（配置）: 1对公共阳极 最大直流反向电压 (Vr): 75 V 单二极管整流平均值 (Io): 300毫安 (DC) 供应商设备包装: SOT-23-3 工作结温: -65摄氏度~150摄氏度 | ¥9.41577 |
| BAW56DW KJC | 创基 (CBI) | 二极管配置：2对共阳极 功率：200mW 直流反向耐压(Vr)：75V 平均整流电流(Io)：150mA 正向压降(Vf)：1.25V@150mA 反向恢复时间(trr)：4ns | ¥0.26022 |
| BAW56 A1 | 东沃 (DOWO) | 二极管配置：1对共阳极 功率：350mW 直流反向耐压(Vr)：85V 平均整流电流(Io)：215mA 正向压降(Vf)：1.25V@150mA 反向恢复时间(trr)：4ns A1(A1表示丝印) | ¥0.06322 |
| BAW156Q-13-F | 达尔科技 (Diodes rporated) | 暂无 | ¥0.28326 |
 | BAW56T-MS | 美森科 (MSKSEMI) | 二极管配置：1对共阳极 功率：150mW 直流反向耐压(Vr)：85V 平均整流电流(Io)：75mA 正向压降(Vf)：1.25V@150mA 反向恢复时间(trr)：4ns | ¥0.16111 |
| BAW56_R1_00101 | 暂无 | ¥0.14166 |
BAW101E6433所属分类：二极管/整流器阵列，BAW101E6433 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产，可通过久芯网进行购买。BAW101E6433价格参考￥0.507003，你可以下载 BAW101E6433中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询BAW101E6433规格参数、现货库存、封装信息等信息！
英飞凌 (Infineon)
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
