SiC二极管是一种超高性能功率肖特基二极管。它使用碳化硅衬底制造。宽带隙材料允许设计具有650V额定值的肖特基二极管结构。由于肖特基结构,在关断时没有显示恢复,并且振铃模式可以忽略不计。最小电容关断行为与温度无关。
特别适用于PFC应用,这种ST-SiC二极管将提高硬开关条件下的性能。其高正向浪涌能力确保了在瞬态阶段具有良好的鲁棒性。
特色
- 无反向恢复或可忽略反向恢复
- 开关行为与温度无关
- 专用于PFC应用
- 高正向浪涌能力
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 51.20730 | 51.20730 |
10+ | 45.97068 | 459.70686 |
100+ | 37.66742 | 3766.74260 |
500+ | 32.06533 | 16032.66600 |
1000+ | 30.73075 | 30730.75600 |
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SiC二极管是一种超高性能功率肖特基二极管。它使用碳化硅衬底制造。宽带隙材料允许设计具有650V额定值的肖特基二极管结构。由于肖特基结构,在关断时没有显示恢复,并且振铃模式可以忽略不计。最小电容关断行为与温度无关。
特别适用于PFC应用,这种ST-SiC二极管将提高硬开关条件下的性能。其高正向浪涌能力确保了在瞬态阶段具有良好的鲁棒性。
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