9icnet为您提供由东芝半导体和存储公司设计和生产的TBAW56，LM，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。TBAW56，LM参考价格0.22000美元。东芝半导体和存储TBAW56，LM封装/规格：二极管阵列GP 80V 215MA SOT23-3。您可以下载TBAW56、LM英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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TBAS16，LM，带引脚细节，包括Digi-ReelR替代封装，它们设计用于SOT-23-3扁平引线封装盒，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，提供供应商设备封装功能，如SOT-23-2，速度设计用于标准恢复>500ns，>200mA（Io），以及标准二极管类型，该器件还可以用作80V电压DC反向Vr最大值。此外，电流平均整流Io为215mA。
TBAT54，LM，带用户指南，包括580mV@100mA正向电压Vf Max。如果它们设计为在30V电压DC反向电压Vr Max下工作，速度如数据表注释所示，用于小信号=，提供反向恢复时间trr功能，如1.5ns。包装设计为在Digi-ReelR备用包装中工作，它具有150°C（最高）的工作温度结范围，该器件也可以用作肖特基二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为2μA@25V，该器件提供140mA电流平均整流Io。
TBAT54S，LM，带电路图，包括140mA电流平均整流Io，它们设计为在2μa@25V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，用于肖特基，其工作温度结范围为-55°C~150°C，封装设计为在*交替封装中工作，以及1.5ns反向恢复时间trr，该设备也可以用作小信号＝速度。此外，直流反向电压Vr最大值为30V，该设备提供580mV@100mA正向电压Vf最大值If。
具有CDIL制造的EDA/CAD模型的TBAT54S。TBAT54S采用SOT23-3封装，是IC芯片的一部分。
