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DB3J208K0L是DIODE SCHOTTKY 20V 700MA SMINI3,包括肖特基二极管产品,它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作,安装样式如数据表注释所示,用于SMD/SMT,提供SC-85等封装盒功能,技术设计为在Si中工作,以及表面安装安装类型,该设备也可以用作SMini3-F2-B供应商设备包。此外,速度为快速恢复=20mA(Io),该器件为肖特基二极管类型,该器件具有200μa@20V的电流反向泄漏Vr,电压正向Vf Max If为450mV@700mA,电压直流反向Vr Max为20V,电流平均整流Io为700mA,反向恢复时间trr为4.3ns,电容Vr F为12pF@10V,1MHz,其工作温度结范围为125°C(最大值),最大工作温度范围为+125 C,最小工作温度范围-55 C,Vf正向电压为0.45 V,Ir反向电流为200 uA,如果正向电流为700 mA,Vrm重复反向电压为20 V,Ifsm正向浪涌电流为2 A,trr反向恢复时间为4.3ns。
DB3J313K0L是DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SMINI3,包括30V Vrm重复反向电压,它们设计为在200MA电压下以550mV的正向Vf Max工作。如果数据表说明中显示了用于30V的电压DC反向Vr Max,该电压提供了0.55 V的正向电压特性,反向恢复时间设计为1.5 ns,以及Si技术,该设备也可以用作SMini3-F2-B供应商设备包。此外,速度为小信号=,器件提供1.5ns反向恢复时间trr,器件具有肖特基二极管产品,封装为Digi-ReelR交替封装,封装外壳为SC-85,工作温度结范围为125°C(最大值),安装类型为SMD/SMT,安装类型是表面安装,其最小工作温度范围为-55℃,最大工作温度范围+125℃,Ir反向电流为50 uA,Ifsm正向浪涌电流为1 A,If正向电流为200 mA,二极管类型为肖特基,电流反向泄漏Vr为50μA@30V,电流平均整流Io为200mA,电容Vr F为3.8pF@10V,1MHz。
DB3J314F0L是二极管阵列肖特基30V SMINI3,包括单一配置,它们设计为在30mA的情况下工作。如果正向电流、Ifsm正向浪涌电流如数据表注释所示,用于150mA,提供Ir反向电流功能,如0.3uA,其最大工作温度范围为+125 C,最小工作温度范围-55 C,该器件也可以用作SMD/SMT安装样式。此外,包装盒为SMini3-F2-B,该器件采用卷筒包装,该器件具有肖特基二极管产品,技术为Si,trr反向恢复时间为1 ns,Vf正向电压为1 V,Vrm重复反向电压为30 V。