9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的VBT1045CBP-E3/8W，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。VBT1045CBP-E3/8W价格参考1.32000美元。Vishay通用半导体-二极管分部VBT1045CBP-E3/8W封装/规格：二极管阵列肖特基45V TO263AB。您可以下载VBT1045CBP-E3/8W英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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VBT1045BP-E3/8W，带有引脚细节，包括TMBSR系列，它们设计用于肖特基整流器产品，包装如数据表注释所示，用于Digi-ReelR替代包装，提供SMD/SMT等安装样式功能，包装盒设计用于to-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、to-263AB以及Si技术，该装置也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为TO-263AB，该设备以单配置提供，该设备速度快速恢复=20mA（Io），二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为500μa@45V，电压正向Vf Max If为680mV@10A，电压直流反向Vr Max为45V，电流平均整流Io为10A（DC），其工作温度结范围为200°C（最大），最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-40 C，Vf正向电压为570 mV，Vr反向电压为45 V，Ir反向电流为500 uA，If正向电流为10 A，Vrm重复反向电压为45V，Ifsm正向浪涌电流为100A。
VBT1045BP-E3/4W是DIODE SCHOTTKY 45V 10A TO263AB，包括45V Vrm重复反向电压，它们设计为在680mV@10A正向电压Vf Max的情况下工作。如果数据表备注中显示了用于45V的直流反向电压Vr Max，它提供了0.52 V等正向电压特性，单位重量设计为0.048678盎司，以及TMBS商标，该器件也可以用作Si技术。此外，供应商设备包装为TO-263AB，该设备以快速恢复=20mA（Io）速度提供，该设备具有系列TMBSR，产品为肖特基整流器，包装为管，包装箱为TO-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、TO-263AA，其工作温度结范围为200°C（最大值），安装类型为SMD/SMT，安装类型为表面安装，最小工作温度范围为-40℃，最大工作温度范围+150℃，Ir反向电流为500 uA，Ifsm正向浪涌电流为160 A，如果正向电流为10 A，二极管类型为肖特基，反向泄漏电流Vr为500μA@45V，平均整流电流Io为10A（DC），配置为单双阳极。
带有电路图的VBT1045BP-M3/8W，包括10A（DC）电流平均整流Io，它们设计为在500μa@45V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，用于肖特基，提供表面安装等安装类型功能，其工作温度结范围为-40°C~150°C，以及to-263-3，D2Pak（2引线+标签），TO-263AB包装盒，该设备也可以用作磁带和卷轴（TR）替代包装包装。此外，速度是快速恢复=200mA（Io），该设备在TO-263AB供应商设备包中提供，该设备具有45V直流反向电压Vr Max，正向电压Vf Max If为680mV@10A。
VBT1045BP-M3/4W，带EDA/CAD型号，包括管交替封装，它们设计为与to-263AB供应商设备包一起运行，数据表注释中显示了用于to-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、to-263AA的封装盒，该封装盒提供了表面安装等安装类型功能，二极管类型设计为在肖特基工作，除了快速恢复=200mA（Io）速度外，该器件还可以用作680mV@10A电压正向Vf Max If。此外，电流反向泄漏Vr为500μA@45V，该器件提供45V电压直流反向Vr Max，其工作温度结范围为-40°C ~ 150°C，反向恢复时间trr为10ns，电流平均整流Io为10A（DC）。
