9icnet为您提供由Littelfuse股份有限公司设计和生产的DSTF4045C，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。DSTF4045C参考价格为0.73080美元。Littelfuse股份有限公司DSTF4045C封装/规格：二极管阵列SCHOTTKY 45V TO220AB。您可以下载DSTF4045C英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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STF3NK80Z是MOSFET N-CH 800V 2.5A TO220FP，包括SuperMESH？系列，它们设计用于管式包装，单位重量如数据表注释所示，适用于0.071959盎司，具有通孔等安装方式功能，包装箱设计用于to-220-3全包装，以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为通孔，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的TO-220FP，配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为25W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为800V，输入电容Cis-Vds为485pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为2.5A（Tc），最大Id Vgs上的Rds为4.5 Ohm@1.25A，10V，Vgs最大Id为4.5V@50μA，栅极电荷Qg Vgs为19nC@10V，Pd功耗为25W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为40 ns，上升时间为27ns，Vgs栅极-源极电压为30V，Id连续漏极电流为2.5A，Vds漏极-源极击穿电压为800V，Rds导通漏极-漏极电阻为4.5欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为36ns，典型导通延迟时间为17ns，Qg栅极电荷为19nC，并且前向跨导Min为2.1S，并且信道模式为增强。
STF3N80K5是MOSFET N-CH 800V 2.8Ohm（典型值2.5A齐纳）保护型，包括4 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在30 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于800 V，具有0.011640 oz等单位重量特性，典型开启延迟时间设计为8.5 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件采用Si技术，该器件具有串联的MDmesh K5，上升时间为7.5ns，Rds漏极-源极电阻为2.8欧姆，Qg栅极电荷为9.5nC，Pd功耗为20W，封装为管，封装外壳为TO-220-3，沟道数为1沟道，安装类型为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为2.5 A，下降时间为25 ns，配置为单一。
STF3NK100Z是MOSFET N-CH 1000V 2.5A TO-220FP，包括增强通道模式，它们设计为以单一配置运行，下降时间显示在数据表注释中，用于32 ns，提供Id连续漏极电流功能，如2.5A，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，该装置也可以用作通孔安装型。此外，信道数为1信道，该器件采用TO-220-3封装盒，该器件具有一个封装管，Pd功耗为25W，Rds漏极-源极电阻为6欧姆，上升时间为7.5ns，系列为N信道MDmesh，技术为Si，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1 N信道，典型关断延迟时间为39ns，典型接通延迟时间为15ns，单位重量为0.011640oz，Vds漏极-源极击穿电压为1000V，Vgs栅极-源极电压为30V。
STF3NK80ZFP带有STF3NK80制造的EDA/CAD模型。STF3NK80-ZFP采用TO-220F封装，是IC芯片的一部分。
