9icnet为您提供由Comchip Technology设计和生产的ACDST-2004S-HF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ACDST-2004S-HF参考价格为0.46000美元。Comchip Technology ACDST-2004S-HF封装/规格：二极管阵列GP 300V 225MA SOT23。您可以下载ACDST-2004S-HF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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CDST-116-G是DIODE GEN PURP 75V 215MA SOT23，包括磁带和卷轴（TR）封装，设计用于to-236-3、SC-59、SOT-23-3封装盒，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，提供供应商设备封装功能，如SOT-23-3，速度设计用于快速恢复=20mA（Io），以及标准二极管类型，该器件还可以用作5μA@75V电流反向泄漏Vr。此外，电压正向Vf Max If为1.25V@150mA，该设备提供75V电压直流反向Vr Max，该设备具有215mA（DC）的电流平均整流Io，反向恢复时间trr为3ns，电容Vr F为2pF@0V，1MHz，其工作温度结范围为150°C（最大值）。
CDST-19-G是DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23，包括1.25V@200MA电压正向Vf Max。如果它们设计为在100V电压直流反向Vr Max下工作，则数据表说明中显示了用于SOT-23-3的供应商设备包，该SOT-23-1提供速度特性，如小信号=、反向恢复时间trr设计为在50ns内工作，该器件也可以用作TO-236-3、SC-59、SOT-23-3封装盒，其工作温度结范围为150°C（最大值），该器件为表面安装安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为100nA@150V，电流平均整流Io为200mA，电容Vr F为5pF@0V，1MHz。
CDST-16-G是DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23，包括2pF@0V，1MHz电容Vr F，它们设计用于150MA电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于1μa@75V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于表面安装，它的工作温度结范围为150°C（最大值），该器件也可以用作TO-236-3、SC-59、SOT-23-3封装盒。此外，包装为磁带和卷轴（TR），设备以6ns反向恢复时间trr提供，设备具有小信号=速度，供应商设备包装为SOT-23-3，电压DC反向Vr最大值为75V，电压正向Vf最大值为1.25V@150mA。
CDSSC4148N-G是DIODE GEN PURP 100V 150MA 0805，包括磁带和卷轴（TR）封装，它们设计用于表面安装安装型，二极管类型如数据表注释所示，用于标准，提供速度特性，如小信号=，供应商设备包设计用于805，以及5μa@75V电流反向泄漏Vr，该器件还可以用作4pF@0V，1MHz电容Vr F。此外，反向恢复时间trr为4ns，该器件以150mA电流平均整流Io提供，其工作温度结范围为150°C（最大值），电压DC反向Vr Max为100V，电压正向Vf Max If为1.25V@100mA，封装外壳为0805（2012公制）。
