9icnet为您提供由GeneSiC Semiconductor设计和生产的GBL01，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。GBL01价格参考2.94000美元。GeneSiC半导体GBL01封装/规格：BRIDGE RECT 1PHASE 100V 4A GBL。您可以下载GBL01英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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GBL005-E3/45是DIODE GPP 1PH 4A 50V GBL，包括单相桥接产品，它们设计用于管交替包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.072135盎司，提供安装类型特征，如通孔，高度设计为10.7 mm，长度为20.9 mm，该装置也可以用作3.56mm宽。此外，封装外壳为4-SIP，GBL，该器件为通孔安装型，该器件具有供应商器件封装的GBL，二极管类型为单相，反向电压峰值最大值为50V，正向电流DC如果最大值为3A，则其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围是-55 C，Vf正向电压为1V，Vr反向电压为35V，Ir反向电流为5uA，最大浪涌电流为150A，峰值反向电压为50V。
GBL005-E3/51是DIODE GPP 1PH 4A 50V GBL，包括3.56 mm宽，设计用于35 V Vr反向电压，数据表备注中显示了用于50V的电压峰值反向最大值，提供1 V等Vf正向电压特性，单位重量设计为0.072135 oz，以及GBL供应商设备包，该器件也可以用作单相桥产品。此外，峰值反向电压为50 V，该器件采用散装交替包装，该器件具有4-SIP，GBL封装盒，安装类型为通孔，安装类型是通孔，其最小工作温度范围为-55 C，最大浪涌电流为150 a，其最大工作温度范围是+150 C，长度为20.9mm，Ir反向电流为5uA，高度为10.7mm，二极管类型为单相，电流DC正向If Max为3A。
GBL005是DIODE BRIDGE 50V 4A GBL，包括4A电流DC正向电流。如果最大值，它们设计为与单相二极管类型一起工作。如果数据表注释中显示正向电流用于4 a，提供Ir反向电流功能，例如5 uA，其最大工作温度范围为+150 C，最大浪涌电流为150 a，它的最低工作温度范围为-55℃。此外，安装类型为通孔，该设备采用通孔安装方式，该设备具有4-SIP，GBL封装盒，封装为散装，峰值反向电压为50 V，系列为GBL，供应商设备封装为GBL、单位重量为0.072135盎司，Vf正向电压为1.1 V，电压峰值反向最大值为50V，Vr反向电压为35V。
