9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STPSC6TH13TI，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STPSC6TH13TI参考价格$5.14000。STMicroelectronics STPSC6TH13TI封装/规格：二极管阵列肖特基650V TO220。您可以下载STPSC6TH13TI英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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STPSC4H065B-TR是DIODE SCHOTTKY 650V 4A DPAK，包括STPSC4H65系列，它们设计用于肖特基碳化硅二极管产品，包装如数据表说明所示，用于Digi-ReelR替代包装，提供单位重量功能，如0.009185盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及to-252-3，DPAK（2引线+标签），SC-63封装盒，该器件也可以用作SiC技术。此外，安装类型为表面安装，设备采用D-Pak供应商设备包提供，设备具有单一配置，速度为无恢复时间>500mA（Io），二极管类型为碳化硅肖特基，电流反向泄漏Vr为40μa@650V，电压正向Vf Max If为1.75V@4A，电压直流反向Vr Max为650V，电流平均整流Io为4A，反向恢复时间trr为0ns，电容Vr F为200pF@0V，1MHz，其工作温度结范围为-40°C~175°C，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-40 C，Vf正向电压为1.75 V，Ir反向电流为0.04 mA，并且If正向电流为4A，Vrm重复反向电压为650V，并且Ifsm正向浪涌电流为38A。
STPSC4H065D是DIODE SCHOTTKY 650V 4A TO220AC，包括650 V Vrm重复反向电压，它们设计为在1.75V@4A电压正向Vf Max下工作。如果数据表说明中显示了用于650V的电压直流反向Vr Max，提供了1.98 V等正向电压特性，单位重量设计为0.211644盎司，以及SiC技术，该设备也可以用作TO-220AC供应商设备包。此外，速度为无恢复时间>500mA（Io），该设备为STPSC4H065系列，该设备具有0ns的反向恢复时间trr，产品为肖特基碳化硅二极管，包装为管，包装箱为TO-220-2，其工作温度结区范围为-40°C~175°C，安装方式为通孔，安装类型为通孔，它的最小工作温度范围为-40℃，最大工作温度范围+175℃，Ir反向电流为170 uA，Ifsm正向浪涌电流为200 A，如果正向电流为4 A，二极管类型为碳化硅肖特基，电流反向泄漏Vr为40μA@650V，电流平均整流Io为4A，配置为单一，电容Vr F为200pF@0V，1MHz。
STPSC406D是二极管肖特基600V 4A TO220AC，包括200pF@0V、1MHz电容Vr F，设计用于单配置，电流平均整流Io如数据表注释所示，用于4A，提供电流反向泄漏Vr特性，如50μa@600V，二极管类型设计用于碳化硅肖特基，以及4 a如果正向电流，该器件也可以用作14A Ifsm正向浪涌电流。此外，Ir反向电流为0.05 mA，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-40 C，安装类型为通孔，安装类型是通孔，工作温度结范围为-40°C~175°C，包装箱为TO-220-2，包装为管，产品为肖特基碳化硅二极管，反向恢复时间trr为0ns，系列为STPSC406，速度为无恢复时间>500mA（Io），供应商设备包为TO-220AC，技术为SiC，单位重量为0.211644 oz，Vf正向电压为1.9V，电压DC反向Vr Max为600V，电压正向Vf Max If为1.9V@4A，Vrm重复反向电压为600V。
STPSC4H065DI，带EDA/CAD型号，包括管包装，设计用于供应商设备包装中的to-220AC，包装箱如数据表注释所示，用于to-220-2绝缘的to-220A C，提供通孔等安装类型功能，安装类型设计用于通孔，以及STPSC4H65系列，该设备也可以用作单一配置。此外，该技术为SiC，该器件采用肖特基碳化硅二极管产品，该器件具有二极管类型的肖特基，速度快速恢复=20mA（Io），电压DC反向Vr Max为650V，Vrm重复反向电压为650V；电流平均整流Io为4A，电流反向泄漏Vr为40μa@650V，其工作温度结范围为-40°C~175°C，如果正向电流为4 A，Ir反向电流为35 uA，Ifsm正向浪涌电流为200 A，Vf正向电压为1.98 V，电压正向Vf Max If为1.75V@4A，单位重量为0.081130 oz，则其最大工作温度范围为+175 C，其最低工作温度范围为-40℃。
