9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的VB20200C-E3/8W，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。VB20200C-E3/8W参考价格$1.80000。Vishay通用半导体-二极管分部VB20200C-E3/8W封装/规格：二极管阵列肖特基200V TO263。您可以下载VB20200C-E3/8W英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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VB20150S-M3/8W，带引脚细节，包括磁带和卷轴（TR）替代包装包装，它们设计用于to-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、to-263AB包装盒，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，提供供应商设备包功能，如to-263AA，速度设计用于快速恢复=20mA（Io），与肖特基二极管类型一样，该器件也可以用作250μA@150V电流反向泄漏Vr。此外，电压正向Vf Max If为1.43V@20A，该设备提供150V电压直流反向Vr Max，该设备具有20A电流平均整流Io，其工作温度结范围为-55°C~150°C。
带用户指南的VB20150S-M3/4W，包括1.43V@20A电压正向Vf Max。如果设计为在150V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于to-263AB的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）等速度功能，包装设计为在管交替包装中工作，以及to-263-3、D2Pak（2引线+标签），TO-263AB包装箱，其工作温度结范围为-55°C~150°C。此外，安装类型为表面安装，该器件为肖特基二极管类型，该器件具有250μa@150V的电流反向泄漏Vr，电流平均整流Io为20A。
VB20200C-E3/4W是肖特基二极管和整流器20安培200伏双沟道MOS，包括双公共阴极配置，它们设计为在20 a下工作。如果正向电流，Ifsm正向浪涌电流如数据表注释所示，用于120 a，提供Ir反向电流功能，如150 uA，其最大工作温度范围为+150 C，它的最低工作温度范围为-40℃，该器件也可以用作SMD/SMT安装型。此外，包装箱为D2PAK（TO-263AB），该设备采用管式包装，该设备具有肖特基产品整流器，技术为硅，商品名为TMBS，单位重量为0.048678盎司，10 a时Vf正向电压为1.6 V，Vrm重复反向电压为200 V。
