9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STPSC8TH13TI，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STPSC8TH13TI参考价格6.48000美元。STMicroelectronics STPSC8TH13TI封装/规格：二极管阵列肖特基650V TO220。您可以下载STPSC8TH13TI英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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STPSC6H12B-TR1是DIODE SCHOTTKY 1.2KV 6A DPAK，包括STPSC6H22系列，它们设计用于肖特基碳化硅二极管产品，包装如数据表说明所示，用于Digi-ReelR替代包装，提供单位重量功能，如0.009185盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及to-252-3，DPAK（2引线+标签），SC-63封装盒，该器件也可以用作SiC技术。此外，安装类型为表面安装，该设备在DPAK供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，速度为无恢复时间>500mA（Io），二极管类型为碳化硅肖特基，电流反向泄漏Vr为400μa@1200V，电压正向Vf Max If为1.9V@6A，电压直流反向Vr Max为1200V（1.2kV），电流平均整流Io为6A，反向恢复时间trr为0ns，电容Vr F为330pF@0V，1MHz，工作温度结范围为-40°C~175°C，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-40 C，Vf正向电压为2.05 V，Ir反向电流为1.5 mA，并且If正向电流为11A，Vrm重复反向电压为1200V，并且Ifsm正向浪涌电流为100A。
STPSC6H065G-TR是DIODE SCHOTTKY 650V 6A D2PAK，包括650 V Vrm重复反向电压，它们设计为以1.75V@6A电压正向Vf Max运行。如果数据表注释中显示了用于650V的电压直流反向Vr Max，提供1.75 V等Vf正向电压特性，单位重量设计为0.070548盎司，以及SiC技术，该设备也可以用作D2PAK供应商设备包。此外，速度为无恢复时间>500mA（Io），该设备为STPSC6H065系列，该设备具有0ns的反向恢复时间trr，产品为肖特基碳化硅二极管，包装为Digi-ReelR替代包装，包装箱为TO-263-3、D2Pak（2引线+标签）、TO-263AB，其工作温度结范围为-40°C~175°C，安装类型为SMD/SMT，安装类型为表面安装，最小工作温度范围为-40℃，最大工作温度范围+175℃，Ir反向电流为0.06 mA，Ifsm正向浪涌电流为60 A，如果正向电流为6 A，二极管类型为碳化硅肖特基，电流反向泄漏Vr为60μA@650V，电流平均整流Io为6A，配置为Single，电容Vr F为300pF@0V，1MHz。
带有电路图的STPSC6H065DI，包括单组态，设计用于6A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于60μa@650V，提供二极管类型的特性，如肖特基，如果正向电流设计用于6A，以及400 a Ifsm正向浪涌电流，该设备也可作为50 uA Ir反向电流使用，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-40 C，该设备具有安装类型的通孔，安装类型为通孔，其工作温度结范围为-40°C~175°C，包装箱为TO-220-2绝缘，TO-220AC，包装为管，产品为肖特基碳化硅二极管，系列为STPSC6H065，速度为快速恢复=20mA（Io），供应商器件封装为TO-220AC ins，技术为SiC，单位重量为0.081130 oz，Vf正向电压为1.98 V，电压DC反向Vr Max为650V，电压正向Vf Max If为1.75V@6A，Vrm重复反向电压为650 V。
STPSC6TH13TI带有EDA/CAD型号，包括管封装，设计用于to-220-3封装盒，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供STPSC6SH13TI等系列功能，技术设计用于SiC以及肖特基碳化硅二极管产品，该器件也可用于双配置。此外，Vrm重复反向电压为650 V，设备提供6 A的正向电流，设备具有400 A的Ifsm正向浪涌电流，Ir反向电流为250 uA，Vf正向电压为1.56 V，单位重量为0.211644 oz，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围是-40 C。
