RF2001NS3DFHTL

超快恢复二极管RF2001NS3D系列标准快速恢复尺寸（单位：mm）应用一般纠正RF2001 NS3D①数据表土地面积图（单位：mm）特点1）超低开关损耗2）高电流过载能力3）阴极普通双类型施工硅外延刨床结构ROHM：LPDS JEITA：TO263S①制造年、周和日攻丝尺寸（单位：mm）①②③绝对最大额定值（Tc=25C） 参数符号重复峰值反向电压反向电压VRM VR平均整流正向电流Io正向电流浪涌峰值结温存储温度IFSM Tj Tstg条件负载≤0.5直流电压60Hz半正弦波电阻负载，Tc=90°C 1/2 Io/二极管60Hz半正弦波，非重复一个周期峰值，Tj=25°C限值350 300 20 100 15055至150单位V V A ACC电气特性（Tj=25C、 每个二极管）参数符号条件正向电压反向电流反向恢复时间VF IF=10A IR VR=300V trr IF=0.5A，IR=1A，Irr=0.25×IR热阻Rth（j-C）结至外壳Min－－－－Typ。最大1.2 1.3 0.03 10 17 25－2单位VμA ns°C/W www.rohm.com©2011 rohm Co.，Ltd.保留所有权利。1/4 2011.10–A版RF2001NS3D数据表正向电流：如果（A）端子间电容：Ct（pF）100 10 Tj=125°C Tj=150°C 1 Tj=25°C Tj=75°C 0.1 0每个二极管500 1000 1500正向电压：VF（mV）VF-IF特性2000 1000 f=1MHz每个二极管100 10 5 10 15 20 25反向电压：VR（V）VR Ct特性30 100 VR=300V Tj=250°C每个二极管平均值：46.7nA 10 1 IR色散图端子之间的电容：Ct（pF）正向电压：VF（mV）反向电流：IR（nA）100000 10000 1000 Tj=150°C Tj=125°C 100 10 1 0 Tj=75°C Tj=25°C每个二极管50 100 150 200 250反向电压：VR（V）VR-IR特性300 1300 1250 1200 1150 1100 1050 1000 IF=10A Tj=25°C/每个二极管AVE：1163mV VF分散图240 f=1MHz VR=0V Tj=250°C/二极管220 200 AVE：207.8pF 180 Ct分散图反向电流：IR（nA）www.rohm.com©2011 rohm Co.，Ltd.保留所有权利。2/4 2011.10–修订版A RF2001NS3D数据表其峰值浪涌正向电流能力：IFSM（A）峰值浪涌正向电压：IFSM 300 250 200 150 100 50 0 1000 1cyc IFSM 8.3ms平均值：167.5A IFSM色散图100 10 IFSM 8.3ms8.3ms 1cyc 1 10周期数IFSM周期特性100 30平均值：29.8kV 30kV无中断25 20 15 10 5 0 C=200pF R=0ΩC=100pF R=1.5kΩESD色散图瞬态热阻抗：Rth（°C/W）峰值浪涌正向电流：IFSM（A）反向恢复时间：trr（ns）30 25 20 15 10 5 0 1000 100 IF=0.5A IR=1A Irr=0.25×IR Tj=25°C/二极管平均值：16.9ns trr色散图IFSM t 10 1 10 10时间：t（ms）IFSM t特性100 Rth（j-C）1 0.1 0.001 0.01 0.1 10时间：t（s）Rth-t特性100 1000 EL[…]

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