9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的VB20200G-E3/8W，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。VB20200G-E3/8W价格参考1.65000美元。Vishay通用半导体-二极管分部VB20200G-E3/8W封装/规格：二极管阵列肖特基200V TO263。您可以下载VB20200G-E3/8W英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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VB20200C-E3/4W是肖特基二极管和整流器20安培200伏双沟道MOS，包括肖特基整流器产品，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.048678盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于TMBS，以及D2PAK（to-263AB）封装盒，该器件也可以用作Si技术。此外，该配置为双共阴极，其最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-40℃，Vf正向电压为1.6V（10A时），Ir反向电流为150uA，如果正向电流为20A，Vrm重复反向电压为200V，Ifsm正向浪涌电流为120A。
VB20200C-E3/8W是二极管阵列肖特基200V TO263，包括200V Vrm重复反向电压，它们设计为在10 a Vf正向电压下工作1.6V，单位重量显示在数据表注释中，用于0.048678盎司，提供TMBS等商品名功能，技术设计用于硅，以及肖特基整流器产品，该装置也可以用作卷筒包装。此外，封装外壳为D2PAK（TO-263AB），该器件为SMD/SMT安装型，其最小工作温度范围为-40℃，最大工作温度范围+150℃，Ir反向电流为150 uA，Ifsm正向浪涌电流为120 A，If正向电流为20 A，配置为双公共阴极。
VB20200G-E3/4W是肖特基二极管和整流器20安培200伏特双110安培IFSM，包括双公共阴极配置，它们设计为在20 a下工作。如果正向电流、IFSM正向浪涌电流如数据表注释所示，用于110 a，提供Ir反向电流功能，例如150 uA，其最大工作温度范围为+150 C，它的最低工作温度范围为-40℃，该器件也可以用作SMD/SMT安装型。此外，包装箱为D2PAK（TO-263AB），该设备采用管式包装，该设备具有肖特基产品整流器，技术为硅，商品名为TMBS，单位重量为0.048678盎司，10 a时Vf正向电压为1.7 V，Vrm重复反向电压为200 V。
