9icnet为您提供由onsemi设计和生产的SMMBD700LT1G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SMMBD700LT1G参考价格为0.36000美元。onsemi SMMBD7000LT1G包装/规格：二极管阵列GP 100V 200MA SOT23。您可以下载SMMBD7000LT1G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SMMBD301LT3G是DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT23，包括汽车AEC-Q101系列，设计用于肖特基二极管产品，包装如数据表说明所示，用于磁带和卷轴（TR），提供单位重量功能，如0.007090盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及to-236-3、SC-59、SOT-23-3包装盒，该器件也可以用作Si技术。此外，安装类型为表面安装，该设备采用SOT-23-3（TO-236）供应商设备包提供，该设备具有单一配置，速度为快速恢复=20mA（Io），二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为200nA@25V，电压正向Vf Max If为600mV@10mA，电压反向Vr Max为30V，电流平均整流Io为200mA（DC），电容Vr F为1.5pF@15V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C~125°C，Pd功耗为200mW，其最大工作温度范围为+125 C，其最小工作温度范围是-55 C，Vf正向电压为520 mV，Vr反向电压为30 V，并且Ir反向电流是200nA，并且如果正向电流是200mA，并且Vrm重复反向电压是30V。
SMMB911DK-T1-GE3是MOSFET 2P-CH 20V 2.6A SC75-6L，包括1V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为与PowerPAKR SC-75-6L双供应商器件包一起工作，系列如数据表注释所示，用于TrenchFETR，提供Rds on Max Id Vgs功能，例如295 mOhm@1.5A，4.5V，Power Max设计为3.1W，以及磁带和卷轴（TR）封装，该器件也可以用作PowerPAKR SC-75-6L双封装外壳，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装型，该器件具有115pF@10V的输入电容Cis Vds，栅极电荷Qg Vgs为4nC@8V，FET类型为2 P通道（双），FET特性为标准，漏极到源极电压Vdss为20V，25°C的电流连续漏电流Id为2.6A。
SMMBD330T1G是二极管肖特基30V 200MA SC70，包括1.5pF@15V，1MHz电容Vr F，设计用于200MA（DC）电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于200nA@25V，提供肖特基等二极管类型功能，安装类型设计用于表面安装，它的工作温度结范围为-55°C~125°C，该器件也可用作SC-70、SOT-323封装外壳。此外，包装为磁带和卷轴（TR），该设备在MMBD330系列中提供，该设备具有小信号=速度，供应商设备包装为SC-70，电压DC反向Vr Max为30V，电压正向Vf Max If为600mV@10mA。
SM-MA-MH与EDA/CAD模型，包括SkyeModule？M10系列，它们设计用于读/写RF类型，数据表注释中显示了用于模块的封装情况，该模块提供了供应商设备封装功能，如模块，功能设计用于ISO18000-6B/C、IPX、EM4122、EM4444、EPC C1G2以及散装包装，设备也可用于860MHz ~ 960MHz频率。
