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CENTRAL半导体BAS28由两个通过外延平面工艺制造的电隔离超高速硅开关二极管组成，封装在环氧树脂模塑SOT-143表面安装外壳中。该设备专为高速开关应用而设计。
最大额定值
1.连续反向电压：VR=75V
2.峰值重复反向电压：VRRM=85V
3.连续正向电流：IF=250 mA
4.峰值重复正向电流：IFRM=500 mA
5.峰值正向浪涌电流，tp=1.0μs：IFSM=4.0 A
6.峰值正向浪涌电流，tp=1.0ms：IFSM=2.0 A
7.峰值正向浪涌电流，tp=1.0s：IFSM=1.0 A
8.功耗：PD=350 mW
标记代码：A61或JTW
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
| BAS70-04WE6327 | 英飞凌 (Infineon) | BAS70-04WE6327 | ¥3.25931 |
| BAS-29T | 阿西亚·布朗·勃法瑞 (ABB Power ) | BAS-29T | ¥16.29653 |
| BAS-48T | 阿西亚·布朗·勃法瑞 (ABB Power ) | BAS-48T | ¥32.9552 |
 | BASY40 | 阿西亚·布朗·勃法瑞 (ABB Power ) | CK BASY40 CU HDUTYBATT Y-SPLICE | ¥132.1105 |
| BASIC11-UP-SUS | 西门子 (Siemens) | S7 BASIC V11 UPGRADE AND SUS KIT | ¥720.81341 |
 | BAS16WT1 | 安盛美 (onsemi) | DIODE SWITCH 200MA 75V SOT323 | ¥0.14486 |
| BAS40-06,215 | 恩智浦 (NXP) | DIODE SCHOTTKY 40V 120MA TO236AB | ¥0.14486 |
 | BAS45AL,115 | 恩智浦 (NXP) | DIODE GEN PURP 125V 0.25A LLDS | ¥0.43457 |
 | BAS40-04,235 | 恩智浦 (NXP) | DIODE SCHOTTKY 40V 120MA SOT-23 | ¥0.14486 |
 | BAS70-04,215 | 恩智浦 (NXP) | DIODE SCHOTTKY 70V 70MA TO236AB | ¥1.12262 |
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
