9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BA479S-TAP,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。BA479S-TAP参考价格为0.15675美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BA479S-TAP封装/规格:RF DIODE PIN 30V DO35。您可以下载BA479S-TAP英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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BA479G-TR是DIODE RF PIN 30V 50MA DO35,包括衰减器类型,它们设计用于磁带和卷轴(TR)交替包装包装,单位重量如数据表注释所示,用于0.004833盎司,提供安装方式功能,如通孔,包装箱设计用于DO-204AH、DO-35、轴向以及HF VHF UHF频率范围,该设备也可以用作DO-35供应商设备包。此外,配置为单一,该设备为PIN-单二极管类型,该设备具有30V的电压峰值反向最大值,电容Vr F为0.5pF@0V,100MHz,电流最大值为50mA,电阻如果F为50 Ohm@1.5mA,100MHz时,其最大工作温度范围为+125 C,其最小工作温度范围是-55 C,Vf正向电压为1 V,Vr反向电压为30 V,If正向电流为50 mA,0 V时最大二极管电容为0.5 pF,1.5 mA时最大串联电阻最大If为50欧姆,载波寿命为4 us。
BA479G-TAP是DIODE RF PIN 30V 50MA DO35,包括30V Vr反向电压,设计用于30V电压峰值反向最大值,Vf正向电压如数据表注释所示,用于1V,提供单位重量功能,如0.004833盎司,类型设计用于衰减器,以及DO-35供应商设备包,该器件也可以用作50欧姆@1.5mA,100MHz电阻If F。此外,该封装是磁带盒(TB)交替封装,该器件提供DO-204AH,DO-35,轴向封装外壳,该器件具有安装型通孔,其最低工作温度范围为-55℃,最大串联电阻最大If为50欧姆@1.5 mA,它的最大工作温度范围为+125 C,0 V时的最大二极管电容为0.5 pF,如果正向电流为50 mA,频率范围为HF VHF UHF,二极管类型为PIN-单,电流最大值为50mA,配置为单,载波寿命为4 us,电容Vr F为0.5pF@0V,100MHz。
BA4584YFV-MGE2,电路图由Rohm Semiconductor制造。是线性放大器-仪表、运算放大器、缓冲放大器的一部分,并支持“运算放大器-运算放大器IC、通用放大器4电路14-SSOPB、运算放大器-运放IC、放大器和线性、运算放大器,低功率、接地感测”。