9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BA479S-TR，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BA479S-TR参考价格为0.15675美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BA479S-TR封装/规格：RF DIODE PIN 30V DO35。您可以下载BA479S-TR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如BA479S-TR价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
BA479G-TR是DIODE RF PIN 30V 50MA DO35，包括衰减器类型，它们设计用于磁带和卷轴（TR）交替包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.004833盎司，提供安装方式功能，如通孔，包装箱设计用于DO-204AH、DO-35、轴向以及HF VHF UHF频率范围，该设备也可以用作DO-35供应商设备包。此外，配置为单一，该设备为PIN-单二极管类型，该设备具有30V的电压峰值反向最大值，电容Vr F为0.5pF@0V，100MHz，电流最大值为50mA，电阻如果F为50 Ohm@1.5mA，100MHz时，其最大工作温度范围为+125 C，其最小工作温度范围是-55 C，Vf正向电压为1 V，Vr反向电压为30 V，If正向电流为50 mA，0 V时最大二极管电容为0.5 pF，1.5 mA时最大串联电阻最大If为50欧姆，载波寿命为4 us。
BA479G-TAP是DIODE RF PIN 30V 50MA DO35，包括30V Vr反向电压，设计用于30V电压峰值反向最大值，Vf正向电压如数据表注释所示，用于1V，提供单位重量功能，如0.004833盎司，类型设计用于衰减器，以及DO-35供应商设备包，该器件也可以用作50欧姆@1.5mA，100MHz电阻If F。此外，该封装是磁带盒（TB）交替封装，该器件提供DO-204AH，DO-35，轴向封装外壳，该器件具有安装型通孔，其最低工作温度范围为-55℃，最大串联电阻最大If为50欧姆@1.5 mA，它的最大工作温度范围为+125 C，0 V时的最大二极管电容为0.5 pF，如果正向电流为50 mA，频率范围为HF VHF UHF，二极管类型为PIN-单，电流最大值为50mA，配置为单，载波寿命为4 us，电容Vr F为0.5pF@0V，100MHz。
BA479S-TAP是DIODE RF PIN 30V 50MA DO35，包括0.5pF@0V，100MHz电容Vr F，设计用于4 us载波寿命，配置如数据表说明所示，用于单路，提供电流最大特性，如50MA，二极管类型设计用于PIN-单路，以及HF VHF UHF频率范围，该设备也可以用作50mA If正向电流。此外，最大二极管电容在0 V时为0.5 pF，最大工作温度范围为+125 C，器件在1.5 mA最大串联电阻最大IF时为50欧姆，最小工作温度范围-55 C，安装方式为通孔，封装外壳为DO-204AH、DO-35、轴向，封装为带盒（TB）交替封装，和电阻如果F为50 Ohm@1.5mA，100MHz，供应商设备包为DO-35，类型为衰减器，单位重量为0.004833 oz，Vf正向电压为1 V，电压峰值反向最大值为30V，Vr反向电压为30 V。
