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DSA2002R0L是TRANS PNP 50V 0.5A MINI3，包括Digi-ReelR替代包装包装，它们设计用于SMD/SMT安装方式，包装箱如数据表注释所示，用于to-236-3、SC-59、SOT-23-3，提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包设计用于MINI3-G3-B-B，以及单一配置，该器件还可以用作200mW最大功率。此外，晶体管类型为PNP，该器件提供500mA集流器Ic Max，该器件具有50V的集流器-发射极击穿最大值，直流电流增益hFE最小Ic Vce为120@150mA，10V，Vce饱和最大Ib Ic为600mV@30mA，300mA，集流器截止最大值为100nA（ICBO），频率转换为130MHz，其最大工作温度范围为+85 C，集电极-发射极电压VCEO Max为-50 V，晶体管极性为PNP，集电极/发射极饱和电压为-200 mV，集电极基极电压VCBO为-60 V，发射极基极电压VEBO为-5 V，最大直流集电极电流为-1 A，增益带宽乘积fT为130MHz，连续集电极电流为-500mA，直流集电极基本增益hfe Min为120。
DSA2002S0L是TRANS PNP 50V 0.5A MINI3，包括50V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在600mV@30mA、300mA Vce饱和最大值Ib Ic下工作。PNP中使用的晶体管类型如数据表注释所示，提供晶体管极性功能，如PNP。供应商设备包设计为在MINI3-G3-B-B中工作，以及200mW最大功率，该设备也可以用作Digi-ReelR替代包装包装。此外，封装外壳为TO-236-3、SC-59、SOT-23-3，该器件为SMD/SMT安装型，该器件具有安装型表面安装，其最大工作温度范围为+150℃，增益带宽乘积fT为130 MHz，频率转换为130 MHz；直流电流增益hFE Min Ic Vce为170@150mA，10V，直流集电极基本增益hFE Min为120，集流器Ic Max为500mA，集流器截止电流Max为100nA（ICBO），连续集流器电流为-500mA，配置为单一，集流-发射极电压VCEO Max为-50V。
DSA20C100PB是肖特基二极管和整流器，20安培100V，包括双共阴极配置，它们设计为在10 a下工作。如果数据表说明中显示了用于240 a的正向电流，Ifsm正向浪涌电流，其提供Ir反向电流功能，如2 mA，其最大工作温度范围为+150 C，它的最低工作温度范围为-55℃，该设备也可以用作通孔安装型。此外，封装外壳为TO-220-3，器件采用管式封装，器件具有65W的Pd功耗，产品为肖特基二极管，系列为DSA20C100，技术为Si，单位重量为0.081130 oz，Vf正向电压为0.71 V，Vrm重复反向电压为100 V。
