9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的VB20150C-E3/4W，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。VB20150C-E3/4W参考价格$1.81000。Vishay General Semiconductor-二极管事业部VB20150C-E3/4W封装/规格：二极管阵列肖特基150V TO263。您可以下载VB20150C-E3/4W英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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VB20120SG-E3/8W是DIODE SCHOTTKY 120V 20A TO263AB，包括TMBSR系列，它们设计用于肖特基整流器产品，包装如数据表说明所示，用于磁带和卷轴（TR）替代包装，提供单位重量功能，如0.048678盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及TMBS商标，该设备也可以用作TO-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、TO-263AB封装盒。此外，该技术为Si，该器件为表面安装安装型，该器件具有供应商器件封装的TO-263AB，配置为单一，速度为快速恢复=20mA（Io），二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为250μa@120V，电压正向Vf Max If为1.33V@20A，电压反向Vr Max为120V，电流平均整流Io为20A，工作温度结范围为-40°C~150°C，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-40 C，Vf正向电压为1.33 V，Ir反向电流为250 uA，如果正向电流为20 A，Vrm重复反向电压为120 V，Ifsm正向浪涌电流为150A。
带用户指南的VB20120SG-M3/8W，包括1.33V@20A电压正向Vf Max。如果它们设计为在120V电压直流反向Vr Max下工作，则数据表说明中显示了用于to-263AB的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）等速度功能。包装设计为在磁带和卷轴（TR）交替包装以及to-263-3中工作，D2Pak（2引线+接线片），TO-263AB封装盒，其工作温度结范围为-55°C~150°C。此外，安装类型为表面安装，该器件为肖特基二极管类型，该器件具有250μa@120V电流反向泄漏Vr，电流平均整流Io为20A。
带有电路图的VB20120SG-M3/4W，包括20A电流平均整流Io，它们设计为在250μa@120V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，用于肖特基，提供表面安装等安装类型功能，其工作温度结范围为-55°C~150°C，以及to-263-3、D2Pak（2引线+接线片），TO-263AB包装箱，该设备也可以用作管替代包装包装。此外，速度快速恢复=200mA（Io），该设备在TO-263AB供应商设备包中提供，该设备具有120V直流反向电压Vr Max，正向电压Vf Max If为1.33V@20A。
