9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的VS-MURD620CTTRHM3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。VS-MURD620CTTRHM3参考价格0.99429美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division VS-MURD620CTTRHM3封装/规格：DIODE STANDARD 200V 3A DPAK。您可以下载VS-MURD620CTTRHM3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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VS-MURB820TRRPBF是DIODE GEN PURP 200V 8A D2PAK，包括FRED PtR系列，它们设计用于超快速恢复整流器产品，包装如数据表说明所示，用于磁带和卷轴（TR）替代包装，提供零件别名功能，如MURB820TRRPBF，单位重量设计为0.070548盎司，以及SMD/SMT安装样式，该设备也可以用作TO-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、TO-263AB封装盒。此外，安装类型为表面安装，该设备在D2PAK供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，速度为快速恢复=20mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μa@200V，电压正向Vf Max If为975mV@8A，电压反向Vr Max为200V，电流平均整流Io为8A，反向恢复时间trr为20ns，工作温度结范围为-65℃~175℃，最大工作温度范围为+175℃，最小工作温度范围-65℃，Vf正向电压为0.975 V，Vr反向电压为200 V，Ir反向电流为5 uA，If正向电流为8 A，最大浪涌电流为100 A，恢复时间为35ns。
VS-MURB820TRLPBF是DIODE GEN PURP 200V 8A D2PAK，包括200 V Vr反向电压，它们设计为以975mV@8A电压正向Vf Max运行。如果数据表注释中显示了用于200V的直流反向Vr Max，该200V提供了0.975 V等Vf正向电压特性，单位重量设计为0.070548盎司，以及D2PAK供应商设备包，该设备也可以用作快速恢复＝200mA（Io）速度。此外，该系列为FRED PtR，设备提供20ns反向恢复时间trr，设备具有35ns的恢复时间，产品为超快恢复整流器，零件别名为MURB820TRLPBF，包装为切割胶带（CT）替代包装，包装箱为TO-263-3、D2Pak（2引线+标签）、TO-263AB、，其工作温度结范围为-65°C~175°C，安装方式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，最小工作温度范围为-65C，最大浪涌电流为100 A，最大工作温度范围+175 C，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为8 A，二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μA@200V，电流平均整流Io为8A，配置为单一。
VS-MURB820PBF是DIODE GEN PURP 200V 8A D2PAK，包括单一配置，它们设计用于8A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于5μa@200V，提供二极管类型功能，如标准，如果正向电流设计用于8 a，以及5 uA Ir反向电流，它的最大工作温度范围为+175℃。此外，最大浪涌电流为100 A，最小工作温度范围是-65℃，该器件具有安装型表面安装，安装类型为SMD/SMT，其工作温度结范围为-65℃~175℃，封装外壳为TO-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、TO-263AB，产品为超快恢复整流器，恢复时间为35ns，反向恢复时间trr为35ns；系列为FRED PtR，速度为快速恢复=20mA（Io）；供应商设备包为D2PAK，商品名为FRED Pt，单位重量为0.070548 oz，Vf正向电压为0.975 V，电压DC反向Vr Max为200V，电压正向Vf Max If为975mV@8A，Vr反向电压为200V。
VS-MURD620CT-M3是DIODE ARRAY GP 200V 6A TO252AA，包括超快恢复整流器产品，它们设计用于to-252AA-3封装盒，安装样式如数据表说明所示，用于SMD/SMT，提供卷盘等封装功能，零件别名设计用于MURD620CTPBF，以及FRED Pt商品名，该设备也可以用作双配置。此外，如果正向电流为6 A，则该设备的最大浪涌电流为50 A，该设备的Ir反向电流为5 uA，Vr反向电压为200 V，恢复时间为19 ns，Vf正向电压为1.2 V，单位重量为0.009185 oz，其最大工作温度范围为+175 C，工作温度范围在-65 C至+175 C之间，其最低工作温度范围为-65℃。
