9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的VBT4045C-E3/8W，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。VBT4045C-E3/8W参考价格$2.87000。Vishay General Semiconductor-Diodes Division VBT4045C-E3/8W封装/规格：DIODE SCHOTTKY 40A 45V TO-263AB。您可以下载VBT4045C-E3/8W英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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VBT4045BP-E3/8W，带引脚细节，包括肖特基整流器产品，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供封装盒功能，如to-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、to-263AB，技术设计为在Si中工作，以及表面安装安装类型，该设备也可以用作TO-263AB供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备提供快速恢复=200mA（Io）速度，该设备具有二极管型肖特基，电流反向泄漏Vr为3mA@45V，电压正向Vf Max If为670mV@40A，电压反向Vr Max为45V，电流平均整流Io为40A（DC），其工作温度结范围为200°C（Max），其最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-40℃，Vf正向电压为570 mV，Vr反向电压为45 V，Ir反向电流为3 mA，如果正向电流为40 A，Vrm重复反向电压为45V，Ifsm正向浪涌电流为240 A。
VBT4045BP-E3/4W是DIODE SCHOTTKY 45V 40A TO263AB，包括45V Vrm重复反向电压，它们设计为在670mV@40A电压正向Vf Max条件下工作。如果数据表备注中显示了用于45V的电压直流反向Vr Max，它提供了0.51 V等Vf正向电压特性，单位重量设计为0.048678盎司，以及TMBS商标，该器件也可以用作Si技术。此外，供应商的设备包装为TO-263AB，该设备以快速恢复=20mA（Io）速度提供，该设备具有肖特基产品整流器，包装为管，包装箱为TO-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、TO-263AA，其工作温度结范围为200°C（最大值），安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，它的最小工作温度范围为-40℃，最大工作温度范围+150℃，Ir反向电流为3000 uA，Ifsm正向浪涌电流为240 A，Ifs正向电流为40 A，二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为3mA@45V，电流平均整流Io为40A（DC），配置为单双阳极。
带电路图的VBT4045BP-M3/8W，包括40A电流平均整流Io，它们设计为在3mA@45V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，用于肖特基，提供表面安装等安装类型功能，其工作温度结范围为-40°C~150°C，以及to-263-3、D2Pak（2引线+接线片），TO-263AB包装箱，该设备也可以用作胶带和卷轴（TR）替代包装包装。此外，速度快速恢复=200mA（Io），该设备在TO-263AB供应商设备包中提供，该设备具有45V直流反向电压Vr Max，正向电压Vf Max If为670mV@40A。
VBT4045BP-M3/4W，带EDA/CAD型号，包括管交替封装，它们设计为与to-263AB供应商设备包一起运行，数据表注释中显示了用于to-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、to-263AA的封装盒，该封装盒提供了表面安装等安装类型功能，二极管类型设计为在肖特基工作，除了快速恢复=20mA（Io）速度外，该设备还可以用作670mV@40A电压正向Vf Max If。此外，电压反向Vr Max为45V，该设备提供40A（DC）电流平均整流Io，其工作温度结范围为-40°C ~ 150°C，电流反向泄漏Vr为3mA@45V。
