9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的VBT6045CBP-E3/8W，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。VBT6045CBP-E3/8W参考价格为3.10000美元。Vishay General Semiconductor-二极管事业部VBT6045CBP-E3/8W封装/规格：二极管阵列肖特基45V TO236AB。您可以下载VBT6045CBP-E3/8W英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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VBT5202-M3/4W带有引脚细节，包括TMBSR系列，它们设计用于肖特基整流器产品，包装如数据表注释所示，用于管中，提供单位重量功能，如0.056438盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及to-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、to-263AB封装盒，该装置也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为TO-263AB，该设备为单配置，该设备的速度快速恢复=200mA（Io），二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为150μa@200V，电压正向Vf Max If为880mV@5A，电压直流反向Vr Max为200V，电流平均整流Io为5A，其工作温度结范围为-40℃~175℃，最大工作温度范围为+175℃，最小工作温度范围-40℃，Vf正向电压为580 mV，Vr反向电压为160 V，Ir反向电流为5 mA，If正向电流为2.5 A，Vrm重复反向电压为200 V，Ifsm正向浪涌电流为100A。
带有用户指南的VBT5200-E3/8W，包括1.6V@5A电压正向Vf Max。如果设计为在200V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于to-263AB的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）等速度功能。包装设计为在磁带和卷轴（TR）交替包装以及to-263-3中工作，D2Pak（2引线+接线片），TO-263AB封装盒，其工作温度结范围为-40°C~150°C。此外，安装类型为表面安装，该器件为肖特基二极管类型，该器件具有150μa@200V的反向电流泄漏Vr，电流平均整流Io为5A。
带电路图的VBT5202-M3/8W，包括5A电流平均整流Io，它们设计为在150μa@200V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，用于肖特基，提供表面安装等安装类型功能，其工作温度结范围为-40°C~175°C，以及to-263-3、D2Pak（2引线+接线片），TO-263AB包装盒，该设备也可以用作Digi-ReelR替代包装盒。此外，该系列是TMBSR，该设备以快速恢复=200mA（Io）速度提供，该设备具有供应商设备包的TO-263AB，电压DC反向Vr Max为200V，电压正向Vf Max If为880mV@5A。
VBT5200-E3/4W，带EDA/CAD型号，包括管交替封装，它们设计为与to-263AB供应商设备包一起运行，数据表注释中显示了用于to-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、to-263AA的封装盒，该封装盒提供了表面安装等安装类型功能，二极管类型设计为在肖特基工作，除了快速恢复=200mA（Io）速度外，该器件还可以用作5A电流平均整流Io，其工作温度结范围为-40°C~150°C，该器件提供200V电压DC反向Vr Max，该器件具有150μa@200V电流反向泄漏Vr，电压正向Vf Max If为1.6V@5A。
