9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的VBT30L60C-E3/8W，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。VBT30L60C-E3/8W参考价格为1.12860美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division VBT30L60C-E3/8W封装/规格：DIODE SCHOTTKY 30A 60V TO-263AB。您可以下载VBT30L60C-E3/8W英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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VBT3080S-E3/8W是DIODE SCHOTTKY 30A 80V TO-263AB，包括磁带和卷轴（TR）交替包装包装，它们设计用于TO-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、TO-263AA封装盒，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，提供供应商设备封装功能，如TO-263AC，速度设计用于快速恢复=20mA（Io），与肖特基二极管类型一样，该器件也可以用作1μA@80V电流反向泄漏Vr。此外，正向电压Vf Max If为950mV@30A，该设备提供80V电压DC反向电压Vr Max，该设备具有30A的平均整流电流Io，其工作温度结范围为-55°C~150°C。
带有用户指南的VBT3080S-M3/8W，包括950mV@30A正向电压Vf Max。如果设计为在80V电压DC反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于to-263AB的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）等速度功能，D2Pak（2引线+接线片），TO-263AB封装盒，其工作温度结范围为-55°C~150°C。此外，安装类型为表面安装，该器件为肖特基二极管类型，该器件具有1μa@80V的反向电流泄漏Vr，电流平均整流Io为30A。
带电路图的VBT3080S-M3/4W，包括30A电流平均整流Io，它们设计为在1mA@80V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，用于肖特基，提供表面安装等安装类型功能，其工作温度结范围为-55°C~150°C，以及to-263-3、D2Pak（2引线+接线片），TO-263AB包装箱，该设备也可以用作管替代包装包装。此外，速度是快速恢复=200mA（Io），该设备在TO-263AB供应商设备包中提供，该设备具有80V直流反向电压Vr Max，正向电压Vf Max If为950mV@30A。
