9icnet为您提供由Comchip Technology设计和生产的CDST-56-G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。CDST-56-G参考价格为0.05607美元。Comchip Technology CDST-56-G封装/规格：二极管阵列GP 70V 200MA SOT23。您可以下载CDST-56-G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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CDST-19-G是DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23，包括磁带和卷轴（TR）封装，设计用于to-236-3、SC-59、SOT-23-3封装盒，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，提供供应商设备封装功能，如SOT-23-2，速度设计用于小信号=，以及标准二极管类型，该器件也可以用作100nA@150V电流反向泄漏Vr。此外，正向电压Vf Max If为1.25V@200mA，该器件提供100V电压DC反向Vr Max，该器件具有200mA的电流平均整流Io，反向恢复时间trr为50ns，电容Vr F为5pF@0V，1MHz，其工作温度结范围为150°C（最大值）。
CDST-4448-G是DIODE GEN PURP 75V 250MA SOT23，包括1.25V@150mA电压正向Vf Max。如果它们设计为在75V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了SOT-23-3中使用的供应商设备包，其提供快速恢复=20mA（Io）、反向恢复时间trr设计为4ns、，除了磁带和卷轴（TR）包装外，该设备还可以用作TO-236-3、SC-59、SOT-23-3包装箱。此外，安装类型为表面安装，该器件为标准二极管类型，该器件具有2.5μa@75V电流反向泄漏Vr，电流平均整流Io为250mA，电容Vr F为4pF@0V，1MHz。
CDST-21-G是DIODE GEN PURP 250V 200MA SOT23，包括5pF@0V，1MHz电容Vr F，它们设计用于200MA电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于1μa@200V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于表面安装，它的工作温度结范围为150°C（最大值），该器件也可以用作TO-236-3、SC-59、SOT-23-3封装盒。此外，包装为磁带和卷轴（TR），设备提供50ns反向恢复时间trr，设备具有小信号=速度，供应商设备包装为SOT-23-3，直流反向电压Vr最大值为250V，正向电压Vf最大值为1.25V@200mA。
CDST-4148-G是DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23，包括TO-236-3、SC-59、SOT-23-3封装盒，它们设计用于磁带和卷轴（TR）封装，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，提供二极管类型功能，如标准，供应商设备封装设计用于SOT-23-2，以及小信号=速度，该器件还可以用作75V电压DC反向Vr最大值。此外，反向恢复时间trr为4ns，该器件提供2pF@0V，1MHz电容Vr F，该器件具有2.5μa@75V电流反向泄漏Vr，电流平均整流Io为150mA，其工作温度结范围为150°C（最大值），电压正向Vf Max If为1.25V@150mA。
