9icnet为您提供由Comchip Technology设计和生产的CDSV3-99-G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。CDSV3-99-G参考价格为0.05807美元。Comchip Technology CDSV3-99-G封装/规格：二极管阵列GP 75V 300MA SOT323。您可以下载CDSV3-99-G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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CDSV3-16-G是DIODE GEN PURP 75V 300MA SOT323，包括磁带和卷轴（TR）封装，设计用于SC-70、SOT-323封装盒，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，提供供应商设备封装功能，如SOT-323，速度设计用于快速恢复=20mA（Io），以及标准二极管类型，该器件还可以用作2.5μA@75V电流反向泄漏Vr。此外，正向电压Vf Max If为1.25V@150mA，该器件提供75V电压DC反向电压Vr Max，该器件具有300mA（DC）电流平均整流Io，反向恢复时间trr为4ns，电容Vr F为2pF@0V，1MHz，其工作温度结范围为-65°C ~ 150°C。
CDSV-21-G是DIODE GEN PURP 200V 200MA SOD323，包括1.25V@200MA电压正向Vf Max。如果它们设计为在200V电压直流反向Vr Max下工作，则数据表说明中显示了用于SOD-323的供应商设备包，该SOD-323提供速度特性，如小信号=、反向恢复时间trr设计为在50ns内工作，该器件也可以用作SC-76、SOD-323封装盒，其工作温度结范围为-65°C~150°C，该器件为表面安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为100nA@200V，电流平均整流Io为200mA（DC），电容Vr F为5pF@0V，1MHz。
CDSV3-19-G是DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT323，包括5pF@0V，1MHz电容Vr F，它们设计用于200MA（DC）电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于100nA@100V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于表面安装，它的工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件也可用作SC-70、SOT-323封装外壳。此外，包装为磁带和卷轴（TR），设备提供50ns反向恢复时间trr，设备具有小信号=速度，供应商设备包装为SOT-323，电压DC反向Vr最大值为120V，电压正向Vf最大值为1.25V@200mA。
CDSV3-202N-G，带有COMCHIP制造的EDA/CAD模型。CDSV3-202N-G采用SOT-323封装，是IC芯片的一部分。
