这种8安培、650伏的SiC二极管是一种超高性能功率肖特基二极管。它使用碳化硅衬底制造。宽带隙材料允许设计具有650V额定值的肖特基二极管结构。由于肖特基结构,在关断时没有显示恢复,并且振铃模式可以忽略不计。最小电容关断行为与温度无关。
该STPSC8H065特别适用于PFC应用。这种ST SiC二极管将提高硬开关条件下的性能。其高正向浪涌能力确保了在瞬态阶段具有良好的鲁棒性。
特色
- 绝缘电压:2500 V均方根值
- 典型封装电容:7 pF
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 23.46699 | 23.46699 |
10+ | 21.06959 | 210.69596 |
100+ | 17.26490 | 1726.49010 |
500+ | 14.69758 | 7348.79100 |
1000+ | 14.08584 | 14085.84700 |
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这种8安培、650伏的SiC二极管是一种超高性能功率肖特基二极管。它使用碳化硅衬底制造。宽带隙材料允许设计具有650V额定值的肖特基二极管结构。由于肖特基结构,在关断时没有显示恢复,并且振铃模式可以忽略不计。最小电容关断行为与温度无关。
该STPSC8H065特别适用于PFC应用。这种ST SiC二极管将提高硬开关条件下的性能。其高正向浪涌能力确保了在瞬态阶段具有良好的鲁棒性。
意法半导体是一家全球独立的半导体公司,在开发和提供微电子应用领域的半导体解决方案方面处于领先地位。硅和系统专业知识、制造实力、知识产权(IP)组合和战略合作伙伴的无与伦比的结合使该公司处于片上系统(So...