9icnet为您提供由Littelfuse股份有限公司设计和生产的DSTF2080C，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。DSTF2080C参考价格0.50400美元。Littelfuse股份有限公司DSTF2080C封装/规格：二极管阵列SCHOTTKY 80V TO220AB。您可以下载DSTF2080C英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您找不到所需的产品，可以通过电子邮件或在线消息（如DSTF2080C价格、库存数量、数据表和制造商）与我们联系。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
STF203-33.TCT是TVS USB 33OHM RES 5.25V SC70-6，包括Digi-ReelR替代封装封装，它们设计为在5 uA额定电流下工作，数据表说明中显示了用于SMD/SMT的终端样式，该SMD/SMT提供封装外壳功能，如6-TSSOP、SC-88、SOT-363，技术设计用于混合技术，以及通用应用，该设备也可以用作4信道数信道。此外，电路数量为4，该器件以100mW功率瓦提供，该器件的工作电压为5.25V，供应商器件封装为，Pd功耗为100mW，其最大工作温度范围为+125℃，最小工作温度范围-40℃，击穿电压为6V，Cd二极管电容为60pF，工作电压为5.25V，极性为单向，Vesd Voltage ESD Contact为8kV，Vesd Voltage ESD Air Gap为15kV，工作电源电压为5.26V。
STF20N65M5是MOSFET N-ch 650 V 0.168 Ohm 18 A MDmesh M5，包括4 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计用于650 V Vgs栅-源极电压，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于650 V，提供单位重量功能，如0.011640 oz，晶体管类型设计用于1 N沟道，该器件还可以用作Si技术。此外，该系列为MDmesh M5，该器件的上升时间为7.5 ns，该器件具有190 mOhms的Rds漏极-源极电阻，Qg栅极电荷为36 nC，Pd功耗为130 W，封装为管，封装外壳为TO-220-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，Id连续漏极电流为18 a，下降时间为7.5ns。
STF20N95K5是MOSFET N-Ch 950V 0.275 Ohm 17.5A MDmesh K5，包括17.5 A Id连续漏极电流，它们设计用于通孔安装方式，数据表中显示了用于1通道的通道数量，该通道提供to-220-3等封装外壳功能，封装设计用于管内，以及40 W Pd功耗，该器件也可以用作40nC Qg栅极电荷。此外，Rds漏极-源极电阻为330毫欧，该器件采用MDmesh K5系列，该器件具有技术硅，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1 N沟道、单位重量为0.011640盎司，Vds漏极源极击穿电压为950 V。
STF20NF06是由ST制造的MOSFET N-CH 60V 20A TO220FP。STF20RF06采用TO-220-3全封装封装，是IC芯片的一部分，并支持MOSFET N-CH60V 20ATO220FP、N沟道60V 20A（Tc）28W（Tc）通孔TO-220FP。
