9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的VB30150C-E3/8W，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。VB30150C-E3/8W参考价格为1.04181美元。Vishay通用半导体-二极管分部VB30150C-E3/8W封装/规格：二极管阵列肖特基150V TO263。您可以下载VB30150C-E3/8W英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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VB30120SG-E3/8W是DIODE SCHOTTKY 120V 30A TO263AB，包括TMBSR系列，它们设计用于肖特基整流器产品。数据表说明中显示了用于磁带和卷轴（TR）替代包装的包装，提供单位重量功能，如0.048678盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及TMBS商品名，该设备也可以用作TO-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、TO-263AB封装盒。此外，该技术为Si，该器件为表面安装安装型，该器件具有供应商器件封装的TO-263AB，配置为单一，速度为快速恢复=20mA（Io），二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为500μa@120V，电压正向Vf Max If为1.28V@30A，电压直流反向Vr Max为120V，电流平均整流Io为30A，其工作温度结范围为-40°C~150°C，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-40 C，Vf正向电压为1.28 V，Ir反向电流为500 uA，如果正向电流为30 A，Vrm重复反向电压为120 V，Ifsm正向浪涌电流为220A。
带用户指南的VB30120S-M3/8W，包括1.1V@30A电压正向Vf Max。如果设计为在120V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于to-263AB的供应商设备包，该设备提供快速恢复=200mA（Io）等速度功能，D2Pak（2引线+接线片），TO-263AB封装盒，其工作温度结范围为-40°C~150°C。此外，安装类型为表面安装，该器件为肖特基二极管类型，该器件具有500μa@120V电流反向泄漏Vr，电流平均整流Io为30A。
带电路图的VB30120S-M3/4W，包括30A电流平均整流Io，它们设计为在500μa@120V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，用于肖特基，提供表面安装等安装类型功能，其工作温度结范围为-40°C~150°C，以及to-263-3、D2Pak（2引线+接线片），TO-263AB包装箱，该设备也可以用作管替代包装包装。此外，速度快速恢复=200mA（Io），该设备在TO-263AB供应商设备包中提供，该设备具有120V直流反向电压Vr Max，正向电压Vf Max If为1.1V@30A。
VB30150C-E3/4W是肖特基二极管和整流器30安培150伏双沟道MOS，包括Vx300xx0x系列，它们设计用于管式封装，产品名称显示在TMBS中使用的数据表注释中，该TMBS提供SMD/SMT等安装样式功能，技术设计用于硅，以及肖特基整流器产品，该器件也可以用作双共阴极配置。此外，包装箱为D2PAK（TO-263AB），该设备提供30 A。如果正向电流，该设备具有200 uA的Ir反向电流，Vrm重复反向电压为150 V，Ifsm正向浪涌电流为140 A，Vf正向电压为1.36 V（15 A），单位重量为0.048678盎司，其最大工作温度范围为+150 C，其最低工作温度范围为-55℃。
