9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的VB30120C-E3/8W，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。VB30120C-E3/8W参考价格为1.23486美元。Vishay General Semiconductor-二极管分部VB30120C-E3/8W封装/规格：二极管阵列肖特基120V TO263。您可以下载VB30120C-E3/8W英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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VB30100S-M3/8W，带引脚细节，包括磁带和卷轴（TR）替代包装包装，它们设计用于to-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、to-263AB包装盒，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，提供供应商设备包功能，如to-263AA，速度设计用于快速恢复=20mA（Io），除了肖特基二极管类型之外，该器件还可以用作1mA@100V电流反向泄漏Vr。此外，正向电压Vf Max If为910mV@30A，该设备提供100V电压DC反向电压Vr Max，该设备具有30A的平均整流电流Io，其工作温度结范围为-40°C~150°C。
带用户指南的VB30100SG-M3/8W，包括1V@30A电压正向Vf Max。如果设计为在100V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于to-263AB的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）等速度功能。包装设计为在磁带和卷轴（TR）交替包装以及to-263-3中工作，D2Pak（2引线+接线片），TO-263AB封装盒，其工作温度结范围为-40°C~150°C。此外，安装类型为表面安装，该器件为肖特基二极管类型，该器件具有350μa@100V电流反向泄漏Vr，电流平均整流Io为30A。
带电路图的VB30100S-M3/4W，包括30A电流平均整流Io，它们设计为在1mA@100V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，用于肖特基，提供表面安装等安装类型功能，其工作温度结范围为-40°C~150°C，以及to-263-3、D2Pak（2引线+接线片），TO-263AB包装箱，该设备也可以用作管替代包装包装。此外，速度快速恢复=200mA（Io），该设备在TO-263AB供应商设备包中提供，该设备具有100V直流反向电压Vr Max，正向电压Vf Max If为910mV@30A。
VB30100SG-M3/4W，带EDA/CAD型号，包括管交替封装，它们设计为与to-263AB供应商设备包一起运行，数据表注释中显示了用于to-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、to-263AA的封装盒，该封装盒提供了表面安装等安装类型功能，二极管类型设计为在肖特基工作，以及快速恢复=20mA（Io）速度，其工作温度结范围为-40°C~150°C。此外，电流反向泄漏Vr为350μA@100V，该器件提供30A电流平均整流Io，该器件具有1V@30A电压正向Vf Max If，电压直流反向Vr Max为100V。
