9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的VI20150C-E3/4W，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。VI20150C-E3/4W价格参考1.05518美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division VI20150C-E3/4W封装/规格：二极管阵列肖特基150V TO262。您可以下载VI20150C-E3/4W英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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VI20120SG-M3/4W，带引脚细节，包括汽车、AEC-Q101系列，它们设计用于管式封装，数据表注释中显示了用于to-262-3长引线、I2Pak、to-262AA的封装盒，提供安装类型功能，如通孔，供应商设备包设计用于to-262AB，以及快速恢复=20mA（Io）速度，该器件也可以用作肖特基二极管型。此外，电流反向泄漏Vr为250μA@120V，该器件的电压正向Vf Max为1.33V@20A。如果，该器件具有120V的电压直流反向Vr Max，电流平均整流Io为20A，其工作温度结范围为-40°C ~ 150°C。
VI20120SHM3/4W，带有用户指南，包括1.12V@20A正向电压Vf Max，如果设计用于120V电压DC反向电压Vr Max，供应商设备包如数据表注释所示，用于to-262AA，提供快速恢复=20mA（Io）等速度功能，该系列设计用于汽车、AEC-Q101以及管包装，该器件也可以用作TO-262-3长引线、I2Pak、TO-262AA封装盒，其工作温度结范围为-40°C~150°C，该器件为通孔安装型，该器件具有二极管型肖特基，电流反向泄漏Vr为300μa@120V，电流平均整流Io为20A。
VI20120S-M3/4W，带电路图，包括20A电流平均整流Io，设计用于在300μa@120V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，用于肖特基，提供安装型功能，如通孔，其工作温度结范围为-40°C~150°C，以及to-262-3长引线，I2Pak，TO-262AA包装箱，该设备也可以用作管包装。此外，该系列为AEC-Q101汽车系列，该设备以快速恢复=20mA（Io）速度提供，该设备具有供应商设备包的TO-262AA，电压DC反向Vr Max为120V，电压正向Vf Max If为1.12V@20A。
VI-201-26，带有VICOR制造的EDA/CAD模型。VI-201-26在模块包中提供，是模块的一部分。
