9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的BAS16TWQ-13R-F,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。BAS16TWQ-13R-F参考价格为0.39000美元。Diodes Incorporated BAS16TWQ-13R-F包装/规格:DIODE FS 100V 150MA SOT363。您可以下载BAS16TWQ-13R-F英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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BAS16TT1G是DIODE GEN PURP 100V 200MA SC75,包括Digi-ReelR替代包装包装,它们设计用于SC-75、SOT-416包装盒,安装类型如数据表注释所示,用于表面安装,提供供应商设备包装功能,如SC-75、SOT-416,速度设计用于小信号=,以及标准二极管类型,该器件还可以用作1μA@75V电流反向泄漏Vr。此外,正向电压Vf Max If为1.25V@150mA,该器件提供100V电压DC反向电压Vr Max,该器件具有200mA(DC)电流平均整流Io,反向恢复时间trr为6ns,电容Vr F为2pF@0V,1MHz,其工作温度结范围为-55°C ~ 150°C。
BAS16T-TP是DIODE GEN PURP 85V 75MA SOT523,包括1V@50mA电压正向Vf Max。如果它们设计为在85V电压直流反向Vr Max下运行,则数据表说明中显示了SOT-523中使用的供应商设备包,其提供了小信号=、反向恢复时间trr等速度特性,除了Digi-ReelR替代封装外,该器件还可以用作SOT-523封装盒,其工作温度结范围为-55°C~150°C,该器件为表面安装型,该器件具有二极管型标准,电流反向泄漏Vr为2μa@75V,电流平均整流Io为75mA(DC),电容Vr F在0V、1MHz时为1.5pF。
BAS16TS,电路图由PANJIT制造。BAS16TS采用SOD523封装,是IC芯片的一部分。