9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的VBT3045C-M3/8W，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。VBT3045C-M3/8W参考价格$1.25268。Vishay General Semiconductor-Diodes Division VBT3045C-M3/8W封装/规格：DIODE SCHOTTKY 30A 45V TO-263AB。您可以下载VBT3045C-M3/8W英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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VBT3045BP-E3/4W是DIODE SCHOTTKY 45V 30A TO263AB，包括TMBSR系列，它们设计用于肖特基整流器产品，包装如数据表说明所示，用于管中，提供单位重量功能，如0.048678盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及TMBS商品名，该设备也可以用作to-263-3、D2Pak（2引线+标签），TO-263AB包装箱。此外，该技术为Si，该器件为表面安装型，该器件具有供应商器件封装的TO-263AB，配置为单双阳极，速度为快速恢复=20mA（Io），二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为2mA@45V，电压正向Vf Max If为700mV@30A，电压反向Vr Max为45V，电流平均整流Io为30A（DC），工作温度结范围为200°C（最大），最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-40 C，Vf正向电压为0.51 V，Ir反向电流为2000 uA，如果正向电流为30 A，Vrm重复反向电压为45 V，Ifsm正向浪涌电流为200A。
带有用户指南的VBT3045BP-M3/8W，包括700mV@30A电压正向Vf Max。如果设计为在45V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于to-263AB的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）等速度功能。包装设计为在磁带和卷轴（TR）交替包装以及to-263-3中工作，D2Pak（2引线+接线片），TO-263AB封装盒，其工作温度结范围为-40°C~150°C。此外，安装类型为表面安装，该器件为肖特基二极管类型，该器件具有2mA@45V电流反向泄漏Vr，电流平均整流Io为30A（DC）。
VBT3045BP-E3/8W是二极管肖特基45V 30A TO263AB，包括30A（DC）电流平均整流Io，它们设计为在2mA@45V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表说明所示，用于肖特基，提供表面安装等安装类型功能，其工作温度结范围为200°C（最大值），以及to-263-3，D2Pak（2引线+标签），TO-263AB包装盒，该设备也可以用作Digi-ReelR替代包装包装。此外，该系列是TMBSR，该设备以快速恢复=20mA（Io）速度提供，该设备具有供应商设备包的TO-263AB，电压DC反向Vr Max为45V，电压正向Vf Max If为700mV@30A。
VBT3045BP-M3/4W，带EDA/CAD型号，包括管交替封装，它们设计为与to-263AB供应商设备包一起运行，数据表注释中显示了用于to-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、to-263AA的封装盒，该封装盒提供了表面安装等安装类型功能，二极管类型设计为在肖特基工作，除了快速恢复=200mA（Io）速度外，该设备还可以用作700mV@30A电压正向Vf Max If。此外，电压反向Vr Max为45V，其工作温度结范围为-40°C ~ 150°C，该设备具有30A（DC）电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr为2mA@45V。
