9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BYVB32-150HE3_A/I，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BYVB32-150HE3_A/I价格参考$0.94050。Vishay General Semiconductor-二极管部门BYVB32-150HE3_A/I封装/规格：二极管阵列GP 150V 18A TO263AB。您可以下载BYVB32-150HE3_A/I英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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BYV98-200-TR是DIODE AVLANCHE 200V 4A SOD64，包括超快速恢复整流器产品，它们设计用于切割胶带（CT）替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.030265盎司的包装，提供安装类型功能，如通孔，包装箱设计用于SOD-64、轴向、，该器件也可以用作SOD-64供应商器件包。此外，该配置为单一配置，该设备提供快速恢复=200mA（Io）速度，该设备具有二极管型雪崩，电流反向泄漏Vr为10μa@200V，电压正向Vf Max If为1.1V@5A，电压直流反向Vr Max为200V，电流平均整流Io为4A，反向恢复时间trr为35ns，它的工作温度结范围为-55°C~175°C，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围是-55 C，Vf正向电压在5 A时为1.1 V，Vr反向电压为200 V，Ir反向电流为10 uA，If正向电流为4 A，最大浪涌电流为70 A，恢复时间为35 ns。
BYV98-50-TAP是DIODE AVLANCHE 50V 4A SOD64，包括50 V Vr反向电压，它们设计用于在1.1V@5A电压正向Vf Max的情况下工作。如果数据表注释中显示了用于50V的电压直流反向Vr Max，该50V提供Vf正向电压特性，例如5 a时为1.1 V，单位重量设计用于0.030265盎司，以及SOD-64供应商设备包，该设备也可以用作快速恢复＝200mA（Io）速度。此外，反向恢复时间trr为35ns，该设备以35ns恢复时间提供，该设备具有产品的超快恢复整流器，包装为磁带盒（TB）交替包装，包装箱为SOD-64，轴向，其工作温度接合范围为-55°C~175°C，安装方式为通孔，安装类型为通孔，其最小工作温度范围为-55 C，最大浪涌电流为70 A，最大工作温度范围+175 C，Ir反向电流为10 uA，如果正向电流为4 A，二极管类型为雪崩，电流反向泄漏Vr为10μA@50V，电流平均整流Io为4A，配置为单一。
BYV98-50-TR是二极管AVLANCHE 50V 4A SOD64，包括4A电流平均整流Io，它们设计为在10μa@50V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，用于雪崩，提供安装类型功能，如通孔，安装类型设计为在通孔中工作，它的工作温度结范围为-55°C~175°C，该器件也可以用作SOD-64轴向封装外壳。此外，包装为磁带和卷轴（TR）交替包装，设备提供35ns反向恢复时间trr，设备速度快速恢复=20mA（Io），供应商设备包装为SOD-64，电压DC反向Vr Max为50V，电压正向Vf Max If为1.1V@5A。
BYVB32-100带有由IR制造的EDA/CAD模型。BYVB32-00采用TO-263封装，是二极管、整流器阵列的一部分。
