9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的VB10150C-M3/4W，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。VB10150C-M3/4W参考价格0.67947美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division VB10150C-M3/4W封装/规格：DIODE SCHOTTKY 10A 150V TO-263AB。您可以下载VB10150C-M3/4W英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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VB10150C-E3/4W是肖特基二极管和整流器10安培150伏双沟道MOS，包括肖特基整流器产品，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.048678盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于TMBS，以及D2PAK（to-263AB）封装盒，该器件也可以用作Si技术。此外，该配置为双共阴极，其最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，Vf正向电压为1.41 V（5A时），Ir反向电流为100 uA，如果正向电流为10 A，Vrm重复反向电压为150 V，Ifsm正向浪涌电流为60 A。
VB10150C-E3/8W是肖特基二极管和整流器10安培150伏双沟道MOS，包括150 V Vrm重复反向电压，它们设计为在5 a Vf正向电压下工作1.41 V，单位重量显示在数据表注释中，用于0.048678盎司，提供TMBS等商品名功能，技术设计用于硅，以及肖特基整流器产品，该装置也可以用作卷筒包装。此外，封装外壳为D2PAK（TO-263AB），该器件为SMD/SMT安装型，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Ir反向电流为100μA，Ifsm正向浪涌电流为60 A，If正向电流为10 A，配置为双公共阴极。
带电路图的VB1-01（506-11320-001），请联系技术支持团队获取更多VB1-01信息（506-113200-001）。
VB10150C-E3，带有VISHAY制造的EDA/CAD模型。VB10150C-E3采用TO-263封装，是IC芯片的一部分。
