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DMA264040R是TRANS PREBIAS DUAL PNP MINI6，包括Digi-ReelR替代包装包装，它们设计用于SMD/SMT安装方式，SOT-23-6中使用的数据表注释中显示了包装箱，提供了表面安装等安装类型功能，供应商设备包装设计用于MINI6-G4-B，以及双重配置，该器件还可以用作300mW最大功率。此外，晶体管类型为2 PNP-预偏置（双），该器件提供100mA集流器Ic Max，该器件具有50V的集流器-发射极击穿最大值，电阻器基极R1欧姆为10k，电阻器发射极基极R2欧姆为47k，直流电流增益hFE最小Ic Vce为80@5mA，10V，Vce饱和最大值Ib-Ic为250mV@500μA，10mA，集电极截止最大值为500nA，其最大工作温度范围为+150 C，集电极-发射极电压VCEO最大值为-50 V，晶体管极性为PNP，连续集电极电流为-100 mA，典型输入电阻为10千欧。
DMA266030R是TRANS PREBIAS DUAL PNP MINI6，包括50V电压集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在250mV@500μa、10mA Vce饱和最大值Ib Ic下工作。数据表注释中显示了用于47千欧的典型输入电阻器，其提供了晶体管类型功能，如2 PNP-预偏置（双），晶体管极性设计为在PNP中工作，以及Mini6-G4-B供应商设备包，该设备也可以用作47k电阻发射极基极R2欧姆。此外，电阻器基极R1欧姆为47k，该器件的最大功率为300mW，该器件具有Digi-ReelR交替封装，封装外壳为SOT-23-6，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，其最大工作温度范围为+150 C，直流电流增益hFE最小Ic Vce为80@5mA，10V，集电极Ic最大值为100mA，集电极截止值最大值为500nA，连续集电极电流为-100mA，配置为双重，集电极-发射极电压VCEO最大值为-50V。
DMA264050R是TRANS PREBIAS DUAL PNP MINI6，包括-50 V集电极-发射极电压VCEO Max，它们设计用于双配置，连续集电极电流如数据表注释所示，用于-100 mA，提供最大电流集电极截止值功能，如500nA，集电极Ic Max设计用于100mA，以及160@5mA，10V直流电流增益hFE最小Ic Vce，其最大工作温度范围为+150℃。此外，安装类型为表面安装，器件采用SMD/SMT安装方式，器件具有SOT-23-6封装盒，封装为Digi-ReelR交替封装，最大功率为300mW，电阻基极R1欧姆为10k，供应商器件封装为Mini6-G4-B，晶体管极性为PNP，晶体管类型为2 PNP-预偏置（双），典型输入电阻为10千欧，Vce饱和最大Ib-Ic为250毫伏@500μA，10毫安，集电极-发射极击穿最大值为50伏。
DMA264060R是TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W MINI6，包括磁带和卷轴（TR）封装，设计用于表面安装安装型，SOT-23-6中使用的数据表说明中显示了封装盒，提供SMD/SMT等安装型功能，晶体管极性设计用于PNP，以及MINI6-G4-B供应商设备封装，该设备也可以用作双配置。此外，电压收集器-发射器击穿最大值为50V，该器件提供500nA电流收集器截止最大值，该器件具有4.7k电阻基极R1欧姆，典型输入电阻为4.7k欧姆，功率最大值为300mW，Vce饱和最大值Ib Ic为250mV@500μa，10mA，晶体管类型为2 PNP-预偏置（双），直流电流增益hFE最小Ic Vce为160@5mA，10V，集电极Ic最大值为100mA，其最大工作温度范围为+150 C，集电极-发射极电压VCEO最大值为-50 V，连续集电极电流为-100 mA。
