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DMA501010R是TRANS 2PNP 50V 0.1A SMINI5，包括Digi-ReelR替代包装包装，它们设计用于SMD/SMT安装方式，数据表注释中显示了用于5-SMD扁平引线的包装盒，提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包设计用于SMINI5-F3-B以及双配置，该器件还可以用作150mW最大功率。此外，晶体管类型为2 PNP（双），该器件提供100mA集流器Ic Max，该器件具有50V的集流器发射极击穿最大值，直流电流增益hFE最小Ic Vce为210@2mA，10V，Vce饱和最大Ib Ic为500mV@10mA，100mA，集流器截止最大值为100μa，频率转换为150MHz，其最大工作温度范围为+85 C，集电极-发射极电压VCEO Max为-50 V，晶体管极性为PNP，集电极/发射极饱和电压为-200 mV，集电极基极电压VCBO为-60 V，发射极基极电压VEBO为-7 V，最大直流集电极电流为-200 mA，增益带宽乘积fT为150 MHz，连续集电极电流为-100 mA，直流集电极基本增益hfe Min为210。
DMA502010R是TRANS 2PNP 50V 0.1A SMINI5，包括50V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在500mV@10mA、100mA Vce饱和最大值Ib Ic下工作，晶体管类型如数据表注释所示，用于2 PNP（双），提供晶体管极性功能，如PNP，供应商设备包设计为在SMINI5-F3-B中工作，该设备还可以用作Digi-ReelR替代包装包装。此外，封装外壳为5-SMD，扁平引线，该器件为SMD/SMT安装型，该器件具有安装型表面安装，其最大工作温度范围为+150℃，增益带宽乘积fT为150 MHz，频率转换为150MHz，直流电流增益hFE Min Ic Vce为210@2mA，10V，直流集电极基极增益hFE Min为210，集电极Ic Max为100mA，集电极截止电流Max为100μA，连续集电极电流为-100 mA，配置为双，集电极-发射极电压VCEO Max为-50 V。
DMA504010R是TRANS 2PNP 50V 0.1A SMINI6，包括-50 V集电极-发射极电压VCEO Max，它们设计为双配置运行，数据表注释中显示了在-100 mA下使用的连续集电极电流，提供了100μa等集电极截止最大功能，集电极Ic Max设计为在100mA下工作，除了210 DC集电极基本增益hfe Min，该器件还可以用作210@2mA、10V DC电流增益hfe Min Ic Vce。此外，频率转换为150MHz，该器件提供150MHz增益带宽产品fT，其最大工作温度范围为+150℃，安装类型为表面安装，安装方式为SMD/SMT，封装外壳为6-SMD，扁平引线，封装为Digi-ReelR交替封装，最大功率为150mW，供应商设备包为SMini6-F3-B，晶体管极性为PNP，晶体管类型为2 PNP（双），Vce饱和最大值Ib-Ic为500mV@10mA，100mA，集电极-发射极击穿最大值为50V。
DMA506010R是TRANS 2PNP 50V 0.1A SMINI6，包括表面安装型，它们设计为与SMINI6-F3-B供应商设备包一起工作，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供晶体管极性功能，如PNP，配置设计为双路工作，以及Digi-ReelR替代封装，该器件也可以用作6-SMD、扁平引线封装盒。此外，电压集电极-发射极击穿最大值为50V，该器件提供500mV@10mA，100mA Vce饱和最大值Ib-Ic，该器件的最大功率为300mW，直流电流增益hFE Min-Ic Vce为210@2mA，10V，直流集电极基极增益hFE Min为210，晶体管类型为2 PNP（双），频率转换为150MHz，增益带宽乘积fT为150MHz，集电极截止电流最大值为100μA，集电极Ic最大值为100mA，其最大工作温度范围为+150 C，集电极-发射极电压VCEO最大值为-50 V，连续集电极电流为-100 mA。
